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ASEMI场效应管7N80，7N80性能特点，7N80机械性能

2021-12-27 16:01:13 947 场效应管

0 7N80详细参数：型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃ 芯片对管壳热阻（RθJC）：0.89℃/W 芯片对环境的热阻（RθJA）：62.5℃/W 漏源击穿电压（BVDSS）：800V 漏源击穿电流（IDSS）：1uA 栅源漏电流（IGSS）：±100nA 栅极开启电压（VGS(th)）：5V 导通电阻（RDS(on)）：1.9Ω 输入电容（Ciss）：1178pF 输出电容（Coss）：133pF 开启上升时间（tr）：35ns 关断下降时间（tf）：32ns 栅极电荷量（QG）：50nC 源-漏二极管压降（VSD）：1.4V 反向恢复时间（trr）：320nS 反向恢复电荷（Qrr）：2.4uC 7N80性能特点：开关速度快低导通电阻低反向传输电容低栅极电荷量 100%单脉冲雪崩能量测试提升了dv/dt能力 7N80机械性能：注塑成型封装适用任何位置安装封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s 封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2021-12-27 16:01:13　　评论淘帖0 举报相关推荐 • ASEMI场效应管7N80规格书下载 8 • ASEMI场效应管7N80说明书下载 3 • ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏 1212 • 7N80-ASEMI高效MOS管7N80 399 • 7N60-ASEMI场效应管7N60 1291 • ASEMI场效应管7N60，7N60详细参数，7N60应用领域 1080 • ASEMI场效应管7N60规格书下载 18 • MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用 1574 • 15N120-ASEMI场效应管15N120 1354 • 40N120-ASEMI低功耗场效应管40N120 1091