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ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线

2021-12-23 16:55:34 2118 MOS管

0 编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS(ON)，适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述，AO3400参数，AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id（Vgs=10v情况下） 5.8A Rds(ON) (Vgs=10v情况下) <28mΩ Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) <33mΩ Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) <52mΩ AO3400参数描述型号：AO3400 封装：SOT-23 电性参数：5.8A 30V 漏源电压（Vds）：30v 栅源电压 (Vgs)：±12v 连续漏极电流（Id 25°C）：5.8A 连续漏极电流（Id 70℃）：4.9A 功率损耗（PD 25℃）：1.4W 功率损耗（PD 70℃）：0.9W 结点和存储温度范围（温度范围）：-55~150℃ 了解AO3400输出特性曲线：输出特性曲线是在VDS之间不加其他负载的情况下绘制的，所以输出特性曲线上的ID就是在UGS电压下ID所能提供的最大电流。从原理上讲，DS之间有一个电阻，由UGS和UDS控制，就是沟道。当它工作在恒流区时，这个电阻只受UGS控制，所以当工作在恒流区时，可以通过改变UGS来改变RDS的电阻，流过它的电流ID就会改变。实际控制过程实际上是通过UGS来控制沟道电阻的变化，电阻的变化引起电流ID的变化。在实际分析计算过程中，跳过了沟道控制环节，直接用gm低频互导参数代替UGS与ID的变化关系，该参数取自转移特性曲线。 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2021-12-23 16:55:34　　评论淘帖0 举报相关推荐 • AO3400-ASEMI高效mos管AO3400 925 • MDD MOSFETs AO3400数据手册 2 • ASEMI场效应管AO3400规格书下载 14 • 使用AO3400驱动减速直流小电机 3460 • MOS管（场效应管）AO3400参数【原装正品】大量现货供应 1516 • 伯恩半导体 MOSFETs AO3400数据手册 0 • 美国AOS 开关电源MOS管 AO3400 AO3400A[原装正品]大量现货供应 1220 • SL3054X 替换AO3400 国产场效应管 30VN型MOS管 339 • 100V低压MOS N沟道MOS管替代AO3400 国产场效应管高性价比 1417 • 什么产品会用到AO3400或者是AO3401 7198