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ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些

2021-11-24 16:49:42 440 肖特基二极管

0 编辑-Z SBT30100VDC肖特基二极管：是一种低功耗、超高速的半导体器件。这种器件是由多数载流子传导的，所以它的反向饱和电流比由少数载流子传导的PN结大得多。SBT30100VDC最显着的特点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向压降仅为0.4V左右。SBT30100VDC多见于通信电源、变频器等，因此是高频、快速开关的理想器件。 SBT30100VDC参数描述型号：SBT30100VDC 封装：TO-263 特性：低压降肖特基二极管电性参数：30A，100V 芯片材质：金属硅芯片正向电流(Io)：30A 芯片个数：2 正向电压(VF)：0.52V 芯片尺寸：94MIL 浪涌电流Ifsm：250A 漏电流(Ir)：8uA 工作温度：-65~+150℃ 恢复时间(Trr)：<5nS 引线数量：3 肖特基二极管SBT30100VDC的特点有哪些： 1、正向压降：肖特基二极管的正向压降远低于快恢复二极管，因此自身功耗小，效率高。 2、反向恢复时间短：其反向恢复时间极短（可小至几纳秒），适合工作在高频条件下。 3、抗大电流：能承受大浪涌电流。反向耐压低：一般肖特基管的反向耐压一般在200V以下，一般在100V左右。 4、耐高温：市面上常见的肖特基管的最高结温为100℃、125℃、150%、175℃（结温越高，产品的耐高温性越好）。肖特基二极管SBT30100VDC在结构原理上与PN结二极管有很大不同，其内部由阳极金属（由钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料和N外延层（砷材料）、N型硅衬底、N阴极层和阴极金属等组成。在N型衬底和阳极金属之间形成肖特基势垒。当肖特基势垒两端（阳极金属接电源正极，N型衬底接电源负极）施加正向偏压时，肖特基势垒层变窄，内阻变小；相反，如果在肖特基势垒的两端施加反向偏压，则肖特基势垒层变宽，其内阻变大。 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2021-11-24 16:49:42　　评论淘帖0 举报相关推荐 • ASEMI肖特基二极管SBT30100VDC产品使用手册.pdf 14 • ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC规格书 23 • SBT30100VDC-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC 224 • SBT30100VDC-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VDC 355 • SBT40100VDC-ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC 348 • SBT30100VDC-ASEMI贴片肖特基 2 • ASEMI肖特基二极管SBT30100VCT/SBT30100VFCT规格书 0 • ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC正向压降温度系数 376 • ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT 1 • ASEMI低压降肖特基二极管SBT40100VDC规格书下载 16