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ESD保护器件主要有4大类,TVS二极管、片式压敏电阻(MLV)、积层贴片电容器(MLCC)、ESD抑制器,各个器件的应用场景也不太一样。 如下是几种保护器件的特征。 Vpeak和Vave(Vave指的是30-100ns之间的平均电压)越小,代表静电吸收能力越强,Vpeak和Vave和横坐标构成的图形面积越小,代表静电能力越强。 总结: 1、对于MLCC,MLCC主要是靠电容量冲入ESD放电电流,电容量越大,ESD性能越好;高速信号中,电容大又会引起信号失真,电容量小ESD效果不佳,所以一般MLCC用在电源上或者是低速信号上。 2、对于TVS,抗ESD性能不错,TVS一般是最常见也是最常用的抗ESD器件。TVS的极间电容可选择性大,小到1pF以下,大的到50-100pF,所以一般在高速,电源或者是低速电路中都可以使用,高速信号中选择极间电容小的TVS,比如USB信号上选择小于1pF的TVS,电源和低速信号,可以选择极间电容稍大的TVS,比如几十pF。 3、对于ESD抑制器,内部电容量一般都是1pF以下,因为ESD抑制器的超低电容量,所以ESD抑制器的Vave特性比TVS好,Vpeak特性比TVS差。 4、对于压敏电阻来说,价格比TVS低不少,抗ESD性能比TVS差。压敏电阻1pF以下电容较少,所以高速信号上使用会受限,因为内部电容量成分,一般压敏电阻的Vpeak特性比TVS好一点。 |
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