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编辑-Z 25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质,是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A,G-E极漏电流(IGES)为100nA,25N120的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的电性参数是:集电极电流(Ic)为25A,集电极-发射极电压为1200V,G-E极阈值电压(VGE)为5.5V,其中有3条引线。 25N120参数描述 型号:25N120 封装:TO-247 特性:大电流MOS管 电性参数:25A 1200V 芯片材质:GPP 集电极电流(Ic):25A 脉冲集电极电流(ICM):75A G-E极阈值电压(VGE):5.5V G-E极漏电流(IGES):100na 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 25N120场效应管封装系列。它的本体长度为21.3mm,加引脚长度为41.55mm,宽度为16.25mm,高度为5.05mm,脚间距为5.7mm。25N120具有高速切换、低饱和电压、高输入阻抗等特性。 以上就是关于25N120-ASEMI的MOS管25N120的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。 ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。 |
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