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1.1.为什么需要电源软起动
在小功率系统中可以不用考虑电源软启动,但在大功率系统(譬如电机控制系统)中需要考虑。 在电源的附近都会有一个滤波电容和一个储能电容,滤波电容一般选104电容,储能电容依据当前系统功耗来选取。大电流系统,选取的储能电容也要越大(容值越大也就越贵),譬如4700uF,甚至多个电容并联在一起几万uF。 1.2.上电瞬间 上电前大电容两端的电压为0V,上电瞬间电容短路,并且容值越大,短路时间就越久;上电瞬间电容两端的电压瞬间上升,有一个非常大的斜率,即上电瞬间浪涌电容非常大,会对后级系统造成破坏,久而久之系统抗疲劳能力变差,系统寿命缩短。 1.3.解决思路 从源、回路、阻抗的角度出发;源和回路都不能改变,只能改变阻抗,即增加阻抗使沿变缓,譬如在电容前面增加一个电阻,增加电阻之后电流就会变小,此时di/dt也会变小。 增加电阻虽然能解决上面的大浪涌电流的问题,但会带来一个新问题:电容正级能输出给后面的电流变小了,如下图所示,A点只能提供24V/4.7K的电流,这显然不能正常驱动后面的大电流系统。 那把电阻阻值变小,譬如用1R电阻,电阻小了之前的浪涌电流大的问题又会出现,并且电阻面的功率就是24W,功率越大电阻成本也就越高。 总结: 增大阻抗,对后记负载输出电流的能力又下降;减小阻抗,EMI/浪涌问题又会出现;同时电阻的功率会急剧上升,同时成本也会大大增加(0R电阻价格比较贵)。 这两个问题似乎相互矛盾,不能同时解决。 1.4.解决问题 从电路工作状态的角度思考: [tr]状态[/tr]初始上电状态输出电流小内阻高 正常工作状态输出电流大内阻低 很显然,一个电路不能同时满足内阻低和内阻高的情况,虽然看似矛盾,但因为不需要同时满足,所以可以分开解决。 系统电路有严格时序,先初始上电状态,然后是正常工作状态;在上电状态时让电路内阻高,正常工作状态之后内阻小,就可以满足设计要求。 初始上电状态,使用一个100R的电阻,可以使浪涌问题得到解决。 正常工作状态,使用一个电子开关将电阻R1短路,就可以使后级获得较大的电流。 电子开关有三极管和MOS管,三极管是流控流型的,电流比较小,所以这里选择小内阻的MOSFET,MOS管能流过电流很大并且内阻小。 1.5.MOSFET的选择 MOS管和三极管作为开关管使用时,P型接电源,N型接地。所以这里选择P管。这里使用NCE60P25K P型MOS管。 使用NCE60P25K P型MOS管,参数如下: 高压的MOS管RDS一般在50mΩ以上,低压的MOS管RDS为45mΩ已经非常大了,因为内阻大,所以比较便宜,RDS越小,价格也越贵。因为阻值会随温度而变化,内阻大了,MOS管发热也就会越严重,P管的RDS一般都大于N管的RDS。 从上表中可以知道,该MOS管的导通电压为20V。 1.6.软起动电路原理图 Q1导通时,内阻远远小于100R,即相当于将电阻R1短路。 R3决定了MOS管的导通速度:R3会限流,限流会减缓SG之间电容(杂散电容)的充电速度。R2主要起分压的作用,它可以对MOS管GS之间的电压进行限制。R2和R3消耗的功率是无用的,降低功耗的方式是增加R2和R3的阻值,这里都取10K。 在上电的瞬间,因为gs的波形会有震荡,会导致开通损耗很高,即发热很严重;可以在R2旁边并联一个小电容(滤波作用),该电容的容值不能太大,太大会导致MOS管开通更加慢(需要要给它充电,会吸收掉一部分的电流,所以会延长MOS到达开通电压的时间),这里选择103电容(10纳法)。 设置一个阈值电压,使用稳压管解决阈值问题。这里选12V,阈值越大,电流流经R1的时间就越长,及R1发热越久,功耗越大。当电容C1的电压达到(12 + 0.7)V时,三极管Q2开通,电流:24V–》Q1的引脚3–》Q1的引脚2–》Q2–》地,这条路通了,MOS管Q1也就通了,因为MOS管的内阻远远小于100R,所以电流大部分从24V–》Q1的引脚3–》Q1的引脚1–》电容C1。R4的阻值为4K,是一个经验值。 1.7.带开关的软起动电路 设计一个带开关的软起动电路,即按下开关时,电路上电,上电过程有软起动功能。 分析: 增加了一个开关S2,开关闭合的瞬间会有尖峰电压,所以需要一个电容C4进行滤波。防止流过R1的电流过大,时间过长,导致R1的功率非常大,为了方便散热,所以增加了一个电阻R2,这样封装更大,散热更快。当S2一断开,C4没有放电回路,所以增加电阻R7对C4进行放电,R7可以取大一点,譬如取10K或20K。 为什么需要二极管D2? 当S2闭合,开始对C3进行充电,假设C3的电压冲到12V时,后面的负载(譬如电机)被误触发,负载会迅速消耗掉C3上的电荷,也就是C3被快速的放电了,其电压迅速降低,这样C3两端的电压就一直到不了13V左右,三极管Q2就一直导通不了,MOS管Q1也就导通不了;所有的电流都是从电阻R1和R2通过,必定将他们都烧坏。 增加了一个二极管之后,三极管Q2的到导通与否只和源头电压+24V有关,和C3的电压无关。电压不可能瞬边,R7处的电压从0上升到24V需要一定的时间,这段时间足够让系统电压稳定了,并且源头电压不受负载的影响。也就是起到了:不管负载怎么变化,三极管的导通只和源头电压有关,和C3的充电电压无关,防止R1和R2过度发热。 C5和R8的作用? Q1的耐压是60V,如果3和1之间的电压超过60V,MOS管会将它钳位在60V,但会发热,长期发热会使MOS管坏掉。高于60V的电压来自于上电瞬间,此时有很高的dv/dt,所以可以在上面增加一个电容,电容不消耗能量,为了消耗掉上电瞬间产生的能量,可以再增加一个电阻,这个电阻一般取很小,几欧姆或十几欧姆,这里取10R;防止3和1之间的电压过高(这里的过高指短期的尖峰电压过高)。 |
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