以上4图表示的是上拉电阻从220欧到5.1K欧的LED亮度变化,当然实际还是有出入的,我们实验室开发板10K的电阻依然把LED点的很亮~(当然根据我们的计算电阻最小不要小于200欧姆,否则电流太大)
2、对于驱动光耦合器,如果是高电位有效,即耦合器输入端接端口和地之间,那么和LED的情况是一样的;如果是低电位有效,即耦合器输入端接端口和VCC之间,那么除了要串接一个1~4.7k之间的电阻以外,同时上拉电阻的阻值就可以用的特别大,用100k~500K之间的都行,当然用10K的也可以,但是考虑到省电问题,没有必要用那么小的。
3、对于驱动晶体管,又分为PNP和NPN管两种情况: a、对于NPN:毫无疑问NPN管是高电平有效的,因此上拉电阻的阻值用2K~20K之间的。具体的大小还要看晶体管的集电极接的是什么负载,对于LED类负载,由于发管电流很小,因此上拉电阻的阻值可以用20k的,但是对于管子的集电极为继电器负载时,由于集电极电流大,因此上拉电阻的阻值最好不要大于4.7K,有时候甚至用2K的。 b、对于PNP管,毫无疑问PNP管是低电平有效的,因此上拉电阻的阻值用100K以上的就行了,且管子的基极必须串接一个1~10K的电阻,阻值的大小要看管子集电极的负载是什么,对于LED类负载,由于发光电流很小,因此基极串接的电阻的阻值可以用20k的,但是对于管子的集电极为继电器负载时,由于集电极电流大,因此基极电阻的阻值最好不要大于4.7K。
4、对于驱动TTL集成电路,上拉电阻的阻值要用1~10K之间的,有时候电阻太大的话是拉不起来的,因此用的阻值较小。但是对于CMOS集成电路,上拉电阻的阻值就可以用的很大,一般不小于20K,通常用100K的,实际上对于CMOS电路,上拉电阻的阻值用1M的也是可以的,但是要注意上拉电阻的阻值太大的时候,容易产生干扰,尤其是线路板的线条很长的时候,这种干扰更严重,这种情况下上拉电阻不宜过大,一般要小于100K,有时候甚至小于10K。 5、关于I2C的上拉电阻:因为I2C接口的输出端是漏极开路或集电极开路,所以必须在接口外接上拉。上拉电阻的取值和I2C总线的频率有关,工作在standard mode时,其典型值为10K。在FAST mode时,为减少时钟上升时间,满足上升时间的要求,一般为1K。电阻的大小对时序有一定影响,对信号的上升时间和下降时间也有影响。总之一般情况下电压在5V时选4.7K左右,3.3V在3.3K左右.这样可加大驱动能力和加速边沿的翻转 I2C上拉电阻确定有一个计算公式:
Rmin={Vdd(min)-o.4V}/3mA
Rmax=(T/0.874) *c, T=1us 100KHz, T=0.3us 400KHz
C是Bus capacitance
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