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光电耦合器M4N25管脚图,参数及内部结构说明

2011-9-8 10:20:39  4861 光电耦合器 M4N25 管脚图
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The M4N25 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupLED to a silicon NPN phototransistor detector.
• Most Economical Optoisolator Choice for Medium Speed, switching Applications
• Meets or Exceeds All JEDEC Registered Specifications


M4N25设备由砷化镓红外发光二极管的光合到一个硅NPN光电晶体管探测器
•最经济的中速的光隔离器选择,开关应用
•符合或超过所有JEDEC注册规格



M4N25管脚引脚定义说明
20100624103158734.jpg
PIN 1. LED ANODE
2. LED CATHODE
3. N.C.
4. EMITTER
5. COLLECTOR
6. BASE


1。 LED的阳极
2。 LED阴极
3。北卡罗来纳州
4。发射器
5。收藏家
6。基



M4N25内部结构图
20100624103159410.jpg 20100624103159753.jpg
Applications
• General Purpose Switching Circuits
• InteRFacing and coupling systems of different potentials and impedances
I/O Interfacing
• Solid State Relays
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)


应用
•通用开关电路
接口和不同的潜能和阻抗耦合系统
•I / O接口
固态继电器

最大额定值(除非另有说明,TA= 25° C)



20100624103200600.jpg
1. Isolation surge voltage is an internal device dielectric breakdown rating.
1. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4, 5 and 6 are common.
2. Refer to Quality and Reliability Section in Opto Data Book for information on test conditions.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)(1)


1。隔离的浪涌电压是内部设备的介质击穿评级。
1。对于这个测试,引脚1和2是常见的,而且是常见的引脚4,5和6。
2。测试条件的信息,请参阅第光电数据手册中的质量和可靠性。

电气特性(除非另有说明,TA= 25° C)



20100624103201869.jpg
1. Always design to the specified minimum/maximum electrical limits (where applicable).
2. Current Transfer Ratio (CTR) = IC/IF x 100%.
3. For test circuit setup and waveforms, refer to Figure 14.
4. For this test, Pins 1 and 2 are common, and Pins 4, 5 and 6 are common.


1。设计规定的最小/最大的电气限制(如适用)。
2。电流传输比(CTR)= IC / IF× 100%。
3。测试电路的设置和波形,参见图14。
4。对于这个测试,引脚1和2是常见的,而且是常见的引脚4,5和6。



M4N25封装尺寸
Package Dimensions in Inches (mm)


英寸外形尺寸(mm)



20100624103203801.jpg

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