完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦， 立即完善>
3天内不再提示
|
|
|
相关推荐
25 个讨论
|
|
|
晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
这里有可控硅的所有基础知识： https://www.elecfans.com/yuanqijian/kekonggui/ |
|
|
|
|
|
|
|
狼在征途…… 发表于 2011-8-16 17:04 可控硅和IGBT性能不同的， IGBT:绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。 可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 整流桥就是将整流管封在一个壳内了.分全桥和半桥.全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起.半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, |
|
|
|
|
|
|
|
|
1、GTR——电力晶体管（功率晶体管）
特点：（1）电流控制型器件，基极电流控制开通与关断 （2）大功率，高反压 （3）具有自关断能力 （4）饱和压降低，开关时间短，安全工作区宽 2、电力MOS场效应晶体管 特点：（1）电压关断型器件，GS间电压控制开通与关断 （2）开关速度快，高频特性好 （3）热稳定性好 （4）导通时电压降稍大，电流、电压容量却不大 3、GTR与电力MOS场效应管复合——IGBT（绝缘栅双极型场效应晶体管） 特点：（1）控制时有MOS场效应管的优点，导通时具有双极型晶体管的特点 （2）输入阻抗高 （3）开关速度快 （4）电流密度高 （5）驱动功率小而饱和压降低 |
|
|
|
|
|
|
|
|
可控硅 是PNPN四层架构，IGBT 可理解成闸极对地短路的可控硅，
你可以想像为 把栅极加在闸极对面，当栅极正偏时，沟道出现，两个P层连通，原须从闸极灌输的触发能量可从电源注入。 |
|
|
|
|
|
|
|
|
上文有笔误，被沟道连通的是 N层 才对。 请留意最后的那一步，你如果把 GK 短接，这东东理论上就成不了可控硅， 但是，且慢高兴，假若红子(空穴)量忒多且来势过猛，G区电位可被灌至高于原触发电平，那就关不掉喽！ |
|
|
|
|
|
1 条评论
|
|
|
可控硅也是三端子元件（注意，是元件，不是模块），跟BJT同属双极类别，所以它的身份定位应该是 “四层双极晶体管”(你可以称它为「两头蛇BJT」)，这正好跟 “四层二极管”(肖克利二极管)相对应。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
可控硅和IGBT的导通压降都是多少啊
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
/9 
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证：合字B2-20210191
工商网监
湘ICP备2023018690号
27886
评论
淘帖
11776
0
这是什么问题啊，是三种元件啊，可控硅可以用做整流，可控硅和IGBT是不是性能的，也有共性……
赞
