氮化镓GaN接替硅支持高能效高频电源设计方案

2020-10-28 06:01:23 1946 电源设计 GaN 宽禁带

0 在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。 0 氮化镓GaN接替硅支持高能效高频电源设计.pdf 112.84 KB , 下载次数: 5
2020-10-28 06:01:23　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 氮化镓(GaN)接替硅，支持高能效、高频电源设计 3681 • 氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？ 2069 • 新技术氮化镓(GaN)将接替硅 2081 • 氮化镓（GaN）取代硅，成高频电源的主要技术 9 • 什么是氮化镓（GaN）？ 852 • 什么是氮化镓（GaN）？ 7094 • 请问氮化镓GaN是什么？ 2285 • 氮化镓（GaN）技术电源管理 846 • 使用氮化镓(GaN)提高电源(PSU)能效 2759 • 传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN) 5426 1 个讨论

0 对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。 GaN有许多性能优势，包括远高于硅的电子迁移率（3.4eV对比1.1eV），这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注意的是，GaN的门极电荷（QG）较低，并且由于必须在每个开关周期内对其进行补充，因此GaN能够以高达1 MHz的频率工作，效率不会降低，而硅则难以达到100 kHz以上。此外，与硅不同，GaN没有体二极管，其在AlGaN / GaN边界表面的2DEG可以沿相反方向传导电流（称为“第三象限”操作）。因此，GaN没有反向恢复电荷（QRR），使其非常适合硬开关应用。

2020-10-28 16:33:29 评论举报 1^# 高阳