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[供应]

SI2308BDS-T1-GE3 三极管 提供

2020-9-24 14:33:55  17
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技术参数
品牌:vishay/威世通
型号:SI2308BDS-T1-GE3
批号:19+
封装:SOT-23
数量:12078
QQ:2355239042
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续漏极电流:2.3 A
Rds On-漏源导通电阻:156 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:6.8 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.66 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
系列:SI2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:5 S
下降时间:7 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:10 ns
典型接通延迟时间:4 ns
零件号别名:SI2308BDS-GE3
单位重量:8 mg

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2020-9-24 14:33:55   评论 分享淘帖
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