输入阻抗(Z IN或输入阻抗)通常被称为晶体管放大器设计中的重要参数,因此可以根据放大器的有效输入和输出阻抗以及功率和额定电流对其进行表征。
放大器的阻抗值对于分析尤其重要,尤其是在将各个放大器级一个接一个地级联在一起以最小化信号失真时。
所述放大器的输入阻抗是输入阻抗“看到”源极驱动放大器的输入端。如果它太低,则可能对前一级产生不利的负载影响,并可能影响该级的频率响应和输出信号电平。但是在大多数应用中,公共发射极和公共集电极放大器电路通常具有高输入阻抗。
某些类型的放大器设计(例如共集电极放大器电路)由于其设计的本质而自动具有高输入阻抗和低输出阻抗。放大器可以具有高输入阻抗,低输出阻抗以及几乎任意的增益,但是如果放大器的输入阻抗低于期望值,则可以调整前一级的输出阻抗以进行补偿,或者如果不能这样做,则可以缓冲放大器级可能需要。
除了电压放大( Av )之外,放大器电路还必须具有电流放大( Ai )。 还可以从放大器电路获得功率放大( Ap)。但是,除了具有这三个重要特性外,放大器电路还必须具有其他特性,例如高输入阻抗( Z IN ),低输出阻抗( Z OUT )和一定程度的带宽( Bw )。无论哪种方式,“完美”放大器都将具有无限的输入阻抗和零输出阻抗。 输入和输出阻抗
在许多方面,可以将放大器视为一种“黑匣子”,如图所示,它具有两个输入端子和两个输出端子。这个想法为晶体管提供了一个简单的h参数模型,我们可以用它找到放大器的DC设定点和工作参数。实际上,端子之一在代表接地或零伏的输入和输出之间是公用的。
从外部看,这些端子的输入阻抗为Z IN,输出阻抗为Z OUT。放大器的输入和输出阻抗是流入或流出这些端子的电压与电流之比。输入阻抗可能取决于为放大器供电的电源,而输出阻抗也会根据输出端子两端的负载阻抗R L而变化。
被放大的输入信号通常是交流电(AC),放大电路代表源的负载Z。放大器的输入阻抗可以是几十欧姆,(欧姆Ω)到几千欧姆,(千欧千欧),用于双极基于晶体管的电路可达百万欧姆,(兆欧MΩ)用于基于FET晶体管电路。
当信号源和负载连接到放大器时,可以如图所示对放大器电路的相应电特性进行建模。 输出和输入阻抗模型
其中,V S是信号电压,R S是信号源的内部电阻,R L是连接在输出两端的负载电阻。通过查看放大器如何连接到源极和负载,我们可以进一步扩展这个想法。
当放大器连接到信号源时,该源“看到” 放大器的输入阻抗Zin作为负载。同样,输入电压Vin是放大器在输入阻抗Zin两端看到的电压。然后,可以将放大器输入建模为一个简单的分压器电路,如图所示。 放大器输入电路模型
同样的想法适用于放大器的输出阻抗。当负载电阻R L连接到放大器的输出时,放大器成为馈送负载的源。因此,如图所示,输出电压和阻抗会自动成为负载的电源电压和电源阻抗。 放大器输出电路模型
然后我们可以看到,放大器的输入和输出特性都可以建模为简单的分压器网络。放大器本身可以连接到公共发射极(发射极接地),公共集电极(发射极跟随器)或公共基极配置中。在本教程中,我们将研究以先前看到的公共发射极配置连接的双极晶体管。 通用发射极放大器所谓的经典共射极配置使用分压器网络偏置晶体管的基极。电源Vcc和偏置电阻将晶体管工作点设置为在正向活动模式下导通。在没有信号电流流入基极的情况下,没有集电极电流流动(晶体管处于截止状态),并且集电极上的电压与电源电压Vcc相同。流入基极的信号电流使电流流入集电极电阻,Rc两端产生压降,导致集电极电压下降。
然后,集电极电压的变化方向与基极上的变化方向相反,换句话说,极性相反。因此,公共发射极配置通过取自集电极两端的输出电压来产生大的电压放大和明确定义的DC电压电平,如图所示,其中电阻R L代表输出两端的负载。 单级共发射极放大器
希望到现在为止,我们能够计算出晶体管在其线性有源区中间工作的电阻值,称为静态点或Q点,但是快速刷新将有助于我们更好地了解放大器的值是获得,以便我们可以使用上述电路来查找放大器的输入阻抗。
首先,让我们从上面关于单级共射极放大器电路的一些简单假设开始,以定义晶体管的工作点。发射极电阻两端的电压降V RE = 1.5V,静态电流I Q = 1mA,NPN晶体管的电流增益(Beta)为100(β= 100 ),并且晶体管 的转角或断点频率放大器的公式为:ƒ- 3dB = 40Hz。
由于没有输入信号的静态电流流经晶体管的集电极和发射极,因此可以说:I C = I E = I Q = 1mA。因此,通过使用欧姆定律:
当晶体管完全开启(饱和)时,集电极电阻Rc上的压降将为Vcc – V RE的一半,以允许最大输出信号在中心点附近从峰峰值摆动,而不会削波输出信号。
请注意,可以从–R C / R E找到放大器的直流无信号电压增益。还要注意,由于输出信号已经相对于原始输入信号反相,因此电压增益为负值。
由于NPN晶体管是正向偏置的,基极-发射极结的作用类似于正向偏置的二极管,因此基极将比发射极电压(Ve + 0.7V)高0.7伏,因此基极电阻R2两端的电压为: