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[供应] 惠海半导体60V50A低结电容SGT工艺NMOS管HG012N06L
2020-8-29 14:51:46  45
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60V50A 50N06 惠海半导体 高性能低结电容SGT工艺N沟道mos管HG012N06L TO-252封装 高性能 稳定可靠

东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场,专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售。惠海半导体MOS管采用沟槽工艺/SGT工艺,性能优越,品质好,具有低内阻、低结电容、低开启、低温升、转换效率高、开关损耗小、抗冲击能力强等的特点。东莞市惠海半导体有限公司专业30-150V系列中低压NMOS管,厂家直销,质优价廉 ,大量现货。 主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封装。

惠海半导体中低压场效率管(MOSFET)
MOS管型号:惠海半导体HG012N06L
MOS管参数:60V50A(50N06)
内阻:11mR(VGS=10V)
结电容:550pF
类型:SGT工艺NMOS
开启电压:1.8V
封装:TO-252
惠海半导体HG012N06L特点:高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺,开关损耗小
应用领域:各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用






30V 60V 100V 150V系列 SGT工艺高性能MOS管 低内阻 低开启 低结电容
常规型号:3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03
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