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惠海半导体60V50A低结电容SGT工艺NMOS管HG012N06L

2020-8-29 14:51:46 987

0 `60V50A 50N06 惠海半导体高性能低结电容SGT工艺N沟道MOS管HG012N06L TO-252封装高性能稳定可靠东莞市惠海半导体有限公司专业从事DC-DC中低压MOS管市场，专注中低压MOS管的设计、研发、生产与销售。惠海半导体MOS管采用沟槽工艺/SGT工艺，性能优越，品质好，具有低内阻、低结电容、低开启、低温升、转换效率高、开关损耗小、抗冲击能力强等的特点。东莞市惠海半导体有限公司专业30-150V系列中低压NMOS管，厂家直销，质优价廉，大量现货。主营SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF33等封装。惠海半导体中低压场效率管（MOSFET） MOS管型号：惠海半导体HG012N06L MOS管参数：60V50A（50N06）内阻：11mR（VGS=10V）结电容：550pF 类型：SGT工艺NMOS 开启电压：1.8V 封装：TO-252 惠海半导体HG012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用 30V 60V 100V 150V系列 SGT工艺高性能MOS管低内阻低开启低结电容常规型号：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 ` 0 本帖子中包含更多资源* 您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-8-29 14:51:46　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 60V50A低内阻低结电容N沟道MOS管HG012N06L 592 • 惠海 HG011N06L 50N06低结电容低开关损耗小60V50A 常用开关电源MOS管 541 • 低结电容60VMOS管 50N06电动车灯大电流SGT工艺场效应管HG012N06L规格书 665 • 50N06 60V/50A MOS场效应管 HC012N06L2 TO-252贴片N沟道场效应管低压MOS管低结电容低内阻 1572 • 100V贴片MOS N沟道 SGT工艺【惠海半导体直销】开关损耗小-温升低 1311 • 60V耐压-50N06 TO-252 60V50AN沟道汽车灯电源MOS管【惠海半导体直销】 529 • WSF40N06A N TO252 60V50A MOSFET 40 • 惠海半导体30V25A贴片MOS低内阻结电容小HC3600MD 1143 • 60V耐压50A60V场效应管N沟道低内阻低开启低结电容TO-252封装 735 • 100Vmos管打火机专用mos管 HG021N10L 低开启电压1.4V 结电容839PF惠海半导体 2424