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特征 高达600 V的高压轨 dV/dt抗扰度±50 V/ns(全温) 范围 驱动器电流能力:250 mA电源 450毫安水槽 切换时间80/40 ns上升/下降,负载为1 nF CMOS关闭输入 欠压锁定 软启动移频定时 闭环控制感应运算放大器或 保护特性 高精度电流控制振荡器 集成自举二极管 夹持Vs 提供DIP16和SO16包 说明 L6598设备由BCD公司™ 离线技术,能够保证电压额定电压高达600伏,非常适合AC/DC适配器和任何共振拓扑结构是有益的。设备是预定的驱动两个功率mosfet,在经典的一半网桥拓扑。专用定时部分允许设计师设置软启动时间、软启动和最小频率。一个误差放大器有两个启用输入,可用。在此外,集成的自举二极管和齐纳钳位在低压电源上,降低到至少需要应用。 电气特性 VS=12 V;VBOOT-VOUT=12 V;TA=25°C 方块图说明 高/低侧驾驶部分 高侧和低侧驱动部分为外部功率MOS或IGBT。高的汇/源驱动电流(450/250毫安典型值)也确保了快速切换时间当使用功率MOS尺寸时。内部逻辑确保最短的死区时间避免电源设备的交叉传导。 定时和振荡器部分 该装置具有软启动功能。它包括一段时间,TSS,其中开关频率从fstart移到fmin。下面将对该功能进行说明说明(参见图6和图7)。 在软启动期间,电流ISS给电容器CSS充电,产生电压传输到跨导放大器的斜坡,如图6所示。就这样电压信号被转换成一个不断增长的电流减去Ifstart。因此在软启动期间驱动振荡器设置频率的电流等于: 在启动(t=0)时,振荡器频率通过以下方式设置: 在软启动(t=TSS)结束时,公式1的第二项减小到零,并且开关频率仅由Imin(即Rfmin)设置: 由于方程1的第二项等于零,我们得到: 注意,软启动时,CSS上没有固定的电压阈值完成(即移频结束),TSS取决于CSS、Ifstart、gm和ISS(方程式5)。使TSS独立于Ifstart,ISS电流设计为只是Ifstart的一小部分,所以: 这样,软启动时间只取决于电容器CSS。kSS的典型值常数(软启动定时常数)为0.15 s/(F)。电流Iosc被送入振荡器,如图7所示。它有两次镜像(x4和x8)在振荡器电容器Cf上产生三角波指的是内部振荡器的结构(图7),一个很好的关系来计算一个近似值正常工作时的振荡器频率为: 引导段 高压部分的电源通过自举电路获得。这个解决方案通常需要一个高压快速恢复二极管充电的引导电容器(图13-a部分)。在这个装置中,一个专利的集成结构取代了这个外部二极管。它通过高压DMO释放,与低压侧驱动器(LVG),带有串联a二极管,如图13-b部分所示。 为了驱动同步DMO,需要一个高于电源电压的电压Vs.该电压通过内部电荷泵获得(图13-b部分)。二极管串联连接到DMOS已经被添加,以避免意外的开启它。二极管的引入防止任何电流从Vboot引脚流向VS当泵的内部电容器未完全放电。自举驱动器在电容器Cboot充电期间引入电压降(即,当低压侧驱动器打开时),它会随着频率和外部功率MOS。它是RDSON和二极管上的压降之和阈值电压。在低频时,这种下降很小,可以忽略不计。不管怎样增加频率必须加以考虑。事实上,下降,减少驱动信号的幅值,可以显著提高外接电源的RDSON值MOS(以及耗散)。在谐振电源中,电流流过功率MOS随着开关频率的增加,开关频率降低,而RDSON的增加通常不会增加因为功耗可以忽略不计。公式8对计算落差很有用在引导驱动程序上: 其中Qg是外部功率MOS的栅电荷,Rdson是bootstrap DMOS,而Tcharge是引导驱动程序保持打开的时间(大约开关频率的半周期减去死区时间)。典型的电阻值引导式DMO为150。例如,使用总栅电荷为在开关频率为200kHz时,引导驱动器上的电压降约为3V。在事实: 总的来说,如果引导驱动器上的显著下降(在高开关频率时大功率MOS被使用)代表一个问题,可以使用外部二极管,避免在车管所的RDSON上。 运算放大器部分 集成运算放大器的设计提供低输出阻抗,宽带,高输入阻抗和宽共模范围。它可以很容易地用于实施保护特性或闭环控制。为此,运算放大器输出可以正确接Rfmin引脚调节振荡频率 比较器 两个CMOS比较器可用于执行保护方案。可识别比较器输入上的短脉冲(≥200ns)。EN1输入(高电平有效),阈值为0.6 V(典型值)时,会强制设备处于锁定关闭状态(例如LVG低,HVG低,振荡器停止),如在欠电压条件下。正常在断电-通电顺序后恢复工作条件。EN2输入(高电平有效),阈值为1.2 V(典型值)时,重新启动软启动程序(请参阅图3、图4和图5中的时序图)。另外EN2比较器,当激活,移除由EN1引起的锁定关闭 |
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