MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器

2020-6-30 16:26:14 2587 存储器

0 MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器：规格：存储器类型易失存储器格式 DRAM 技术 SDRAM - DDR2 存储容量 1Gb （64M x 16）存储器接口并联时钟频率 400MHz 写周期时间 - 字，页 15ns 访问时间 400ps 电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V 工作温度 0°C ~ 85°C（TC）安装类型表面贴装型封装/外壳 84-TFBGA 供应商器件封装 84-FBGA（8x12.5）类型: SDRAM - DDR2 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: FBGA-84 数据总线宽度: 16 bit 组织: 64 M x 16 存储容量: 1 Gbit 最大时钟频率: 800 MHz 电源电压-最大: 1.9 V 电源电压-最小: 1.7 V 电源电流—最大值: 95 mA 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 85 C 系列: MT47H 封装: Tray 商标: Micron 湿度敏感性: Yes 产品类型: DRAM 工厂包装数量: 1368 子类别: Memory & Data Storage MT47H64M16NF-25E_M.pdf (2.34 MB, 下载次数: 2 ) 0
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