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霍尔器件通过检测磁场变化,转变为电信号输出,可用于在汽车等应用中监测位置、位移、角度、角速度、转速等运行参数的变化。随着对于能效的要求越来越高,需要对这些参数进行更精准地测量。Allegro公司的A1262 2D 双通道霍尔效应传感器 IC 采用 5 引脚 SOT23W 表面安装型封装,或者4 引脚 SIP 通孔封装,可在传统平面磁场方向以及垂直磁场方向运行(见图1),中心位置平面和垂直霍尔元件的双重操作有下述优势:
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正交
输出间固有的 90° 相差使正交磁极距和气隙独立 较小的封装尺寸降低了PCB 尺寸以及有效总气隙 (TEAG) X-Z 选项提供更小的有效总气隙 (TEAG) 尺寸感应 机械设计灵活性,可根据可用性和 / 或成本自由选择环形磁体 由于使用 SMT 器件可实现面内传感,通孔器件有可能被替代。 图 1:A1262LLH X/Y 和 Z 轴的 2D 传感方向(只限 X-Z 轴或 Y-Z 轴,取决于 所选零件号) 两种可用选项可通过在 Y-Z 轴或 X-Z 轴传感,赋予系统设计更高灵活性。相较磁体,这赋予了传感器 IC 在不同方向的安装灵活性,其安装的载体 PCB 也因此获得了相同的优势。A1262 是A1230 和 A3425等前代器的替换解决方案,前代器件的 1D(双平面)设计需对环磁极间距进行优化,且只提供一个传感方向。但是,A1262 无需优化环磁体,并可以配置为四个不同的传感方向(见传感配置部分)。此外,A1262 采用更小型 (SOT23W) 封装。2D A1262 与双平面 A1230 及 A3425 的对比请详见表 1。 表 1:2D 与 1D (双平面)对比 特性 器件 A1262 A1230 A3425 霍尔元件间距 不适用 1.0 mm 1.0 mm 固有的正交输出 是 否 否 传感配置 4 1 1 可用封装 LH (SOT23W)、K (SIP) L (SOIC)、K (SIP) L (SOIC)、K (SIP) BOP / BRP (最大值) ±40 G ±30 G ±30 G 输出极性,B > BOP 低 低 低 垂直霍尔元件和平面霍尔元件 IC 设计与制造技术的改进使垂直霍尔元件与 平面型元件具有类似的灵敏度。平面霍尔元件只对于垂直 IC 平面的磁场具有灵敏度,垂直霍尔元件也遵循相同的原理。由于Z 轴灵敏度不受传感器 IC 方向或转动的影响,因此,使用只含一个平面霍尔元件的表面贴装器件无法实现面内传感。 平面霍尔元件按晶片(面内)长度和宽度制造,如图 2 所示。垂直霍尔元件从顶部至底部根据芯片深度制造,如图 3 所示。通过旋转 IC,或改变晶片上垂直霍尔感应元件方向,传感器 IC 就可分辨磁场方向和振幅,在多个空间维度真正传感。A1262中,X 轴和 Y 轴为垂直霍尔传感轴,Z 轴为平面霍尔传感轴(见图 4)。 A1262 有两种不同的传感配置可选为排序选项。区别在于垂直霍尔元件朝向不同。X-Z 选项中,X 轴方向的垂直霍尔元件与 Z 轴的平面霍尔元件协同工作。Y-Z 选项中,垂直霍尔元件需旋转以达到 Y 轴灵敏度。这就使得用户可根据环形磁体选择如何定位传感器 IC。该内容会在传感配置部分作进一步解释。 图 2:平面霍尔元件 图 3:垂直霍尔元件 图 4:感应轴 传感配置 A1262 可提供环磁体独立正交输出的双通道传感。其采用两种不同的 2D 传感轴配置选项,X-Z 轴和 Y-Z 轴。同时使用垂直霍尔元件和平面霍尔元件以生成正交双重输出,类似于使用双平面传感器 IC,如A1230 或 A3425(但是,双平面型传感器只有一个敏感度配置)。定位在环形磁体正面的平面霍尔元件可感应磁极,而垂直霍尔元件可感应磁极间转换(如图 12 所示)。 X-Z 配置(图 5)中,安置霍尔元件用于检测平行于封装面的磁场,横跨 / 垂直于无引线侧(X 轴)和垂直于封装面(Z 轴)的磁场,如图 2 所示。配置垂直霍尔以感应磁极(正面)。 在需要 IC 面向位于磁体正面的垂直元件的应用中(参见图 7),由于传感器 IC 在无引线侧敏感,IC 可安置于近目标处(相对于 Y-Z 组合)。 图 5:A1262LLH-X 传感使用 X 方向垂直霍尔元件与 Z 平面霍尔元件协同工作。 Z 轴平面霍尔(红色显示)正面可使用(A 图)。 X 轴垂直霍尔(绿色显示)正面可使用(B 图)。 Y-Z 配置(图 6)中,安置霍尔元件用于检测平行于跨引线侧(Y 轴)封装面的磁场和垂直于封装面(Z 轴)的磁场。配置垂直霍尔以感应磁极(正面)。传统双通道器件,如 A1230 和 A3425,采用图 6 中任何配置(A 或 B)都无法感应环形磁体。 图 6:A1262LLH 感应使用 Y 方向垂直霍尔元件与 Z 平面霍尔元件协同工作。 Z 轴平面霍尔(红色显示)正面可使用(A 图)。 Y 轴垂直霍尔(蓝色显示)正面可使用(B 图)。 小气隙性能 已有的 X-Z 选项可使磁体传感器采用极小气隙安置,用于需要 PCB 垂直于环磁体的应用。这是由于感应边缘为无引线侧。 图 7 说明了无引线侧传感的优势。无引线侧传感使 IC 无需容纳器件引线和相关的 PCB 焊盘和走线,就可安置于 PCB 边缘。这造成了有效总气隙 (TEAG) 明显减小。Y-Z 选项中,传感器必须位于 PCB 下一层内板。 图 7:X-Z(A 图)与 Y-Z(B 图)配置的有效总气隙优势。 双输出 A1262 是双输出传感器,其输出时采用垂直霍尔元件(X 或 Y)和平面霍尔元件 (Z),位于两处独立输出引脚(分别是 OUTPUTA 和 OUTPUTB)。这是用过信道的时分多路复用实现的。参阅图 8 方框图。各信道每隔约 16 μs(典型值)采样,以便信道趋稳,因此两个信道大约每 32 μs 可进行更新。参阅图 9。 A1262 采样率采用相对较快的时分多路复用,可承受高磁输入频率,可适用于大多数应用。请联系您的 Allegro 代理获取更多有关高频应用适应性的信息。 图 8:A1262 结构框图 图 9:时分多路复用的耗时。 各输出更新前信道趋稳时间。 固有正交 平面元件和垂直元件本质上位置相同,这种传感技术减少了环磁体为实现正交(输出信道间 90° 相差)的目标优化需求。 双平面传感器 IC 只含两个正交信道,而环磁体极对间距是霍尔元件间距的 4 倍。 图 10:小间距环形磁体的正交 据上方图 10 显示,环形磁体为适应双平面传感器 IC,对磁极距尺寸优化后,造成输出信号产生 90° 相差。而下方图 11 中显示了磁极距明显较大的环形磁体。较大的磁极距无法起到优化并适应双平面传感器 IC 的霍尔元件间距的作用,而是产生明显较小的输出信号相差。由于 2D 传感器 IC 不受磁极距影响,输出信号仍保持正交(90° 相差)。图 12 显示了 2D 传感器阵列如何实现不受磁铁尺寸影响的正交传感。 图 11:大间距环形磁体的正交 图 12:垂直输入信号和平面输入信号的(磁通密度)与环磁体位置 IC 位于南磁极。该处的垂直磁通在 Z 轴,只通过平面霍尔元件,而 X 轴处无垂直磁通。因此,各输出信道将输出与垂直磁通成正比的电压。Z 信道将输出正电压,而 X 信道为零伏特。 IC 位于南 - 北磁极转变处。现在的 Z 信道输出为零,而 X 信道输出正电压。 IC 位于北磁极,造成 Z 信道输出负电压,而 X 信道重回零电压。 IC 位于北 - 南磁极转变处。Z 信道输出重新归零,而 X 信道输出负电压。 相差 无论磁极距为多少,A1262 固有相差为 90°。但是,机械位置可影响相差。 如图 13 所示,传感器 IC 与旋转轴不对齐时(切向偏移),相差相较 90° 会偏离几度。相差转变的幅度取决于的机械偏移量。该示例中,由于偏移量较大、环形磁体直径小,影响被放大了。 图 13:相差随切向偏移变化 结论 A1262 包含新型垂直霍尔传感技术,为转动环形磁体和电机的应用提供理想解决方案。相比现有的双通道霍尔锁存器 IC,采用 A1262 进行设计就容易得多,整体系统配置和机械封装的限制更少、选择更多。二维双通道磁感应器 IC 提供绝无仅有的灵活性,减少了环形磁体目标输出正交的优化需求,同时,可选择两种不同的垂直感应轴,为 IC 和 PCB 安装提供更多选择。 设计者可在四种传感方向中任意选择,也可在表面贴装 (LH) 或通孔封装 (K) 之间选择。 无论环磁体如何设计,2D 传感提供固有的输出信号正交,可选择使用其他应用中现有的环磁体,或选择现成的环磁体。 与旧式双通道器件(包括采用 SOT 封装的器件)相比,X-Z 选项提供的是改进版 TEAG。 相较使用通孔 (SIP) 封装传感器的旧式器件,表面贴装器件面内传感功能的使用造就了更加小巧的设计、更轻质的系统和更精简的装配步骤。 作者 Allegro MicroSystems, LLC 公司:Marvin Ng |
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