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LDMOS的优势是什么？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。 0
2020-4-7 09:00:33　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × iuwwufjsd 该类别下有 6 个回答。邀请回答唯安an 该类别下有 6 个回答。邀请回答华秋商城该类别下有 6 个回答。邀请回答 xlong97 该类别下有 6 个回答。邀请回答 cmh12 该类别下有 6 个回答。邀请回答 LiangQY0758 该类别下有 6 个回答。邀请回答 yweyffdsw 该类别下有 5 个回答。邀请回答 CHENYUHENG 该类别下有 5 个回答。邀请回答 xiaoge240 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user190 该类别下有 5 个回答。邀请回答 wei296 该类别下有 5 个回答。邀请回答 tutu10 该类别下有 5 个回答。邀请回答 chinaruto 该类别下有 5 个回答。邀请回答 60user79 该类别下有 5 个回答。邀请回答楼丞紫澈该类别下有 5 个回答。邀请回答 wang22222 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lingjianghui 该类别下有 5 个回答。邀请回答 lgjmjx 该类别下有 5 个回答。邀请回答 huazhe 该类别下有 5 个回答。邀请回答 qp_12 该类别下有 5 个回答。邀请回答举报赵娜相关推荐 • LDMOS的优势是什么 3196 • LDMOS结构及优点的全面概述 3590 • 硅基氮化镓与LDMOS相比有什么优势？ 4722 • 什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？ 5412 • 如何利用RFIC设计抗击穿LDMOS？ 2546 • 怎么利用DS4303为LDMOS RF功率放大器提供偏置？ 2306 • 高压LDMOS在军事和航空航天领域的应用 2610 • 在AWR中模拟LDMOS MRFE6VS25N时模型只有32位是怎么回事？ 404 • 基于硅LDMOS技术满足WiMAX基站要求 2074 • 求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管 1377 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 1 目录 LDMOS的性能概述 LDMOS的结构 LDMOS的制造工艺 LDMOS的优势 LDMOS的特点及应用 LDMOS的性能概述　　与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。　　LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备；它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB,而在有相同的输入电平的情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。 LDMOS的结构　　LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。场极板的作用大小与场极板的长度密切相关。 LDMOS的制造工艺　　LDMOS制造工艺结合了BPT和砷化镓工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层，而是直接硬接在衬底上，导热性能得到改善，提高了器件的耐高温性，大大延长了器件寿命。由于LDMOS管的负温效应，其漏电流在受热时自动均流，而不会象双极型管的正温度效应在收集极电流局部形成热点，从而管子不易损坏。所以LDMOS管大大加强了负载失配和过激励的承受能力。同样由于LDMOS管的自动均流作用，其输入-输出特性曲线在1dB 压缩点（大信号运用的饱和区段）下弯较缓，所以动态范围变宽，有利于模拟和数字电视射频信号放大。LDMOS在小信号放大时近似线性，几乎没有交调失真，很大程度简化了校正电路。MOS器件的直流栅极电流几乎为零，偏置电路简单，无需复杂的带正温度补偿的有源低阻抗偏置电路。　　对LDMOS而言，外延层的厚度、掺杂浓度、漂移区的长度是其最重要的特性参数。我们可以通过增加漂移区的长度以提高击穿电压，但是这会增加芯片面积和导通电阻。高压DMOS器件耐压和导通电阻取决于外延层的浓度、厚度及漂移区长度的折中选择。因为耐压和导通阻抗对于外延层的浓度和厚度的要求是矛盾的。高的击穿电压要求厚的轻掺杂外延层和长的漂移区，而低的导通电阻则要求薄的重掺杂外延层和短的漂移区，因此必须选择最佳外延参数和漂移区长度，以便在满足一定的源漏击穿电压的前提下，得到最小的导通电阻。 LDMOS的优势　　技术面：　　卓越的效率，可降低功率消耗与冷却成本　　卓越的线性度，可将信号预校正需求降到最低　　优化超低热阻抗，可缩减放大器尺寸与冷却需求并改善可靠度　　卓越的尖峰功率能力，可带来最少数据错误率的高 3G 数据率　　高功率密度，使用较少的晶体管封装　　超低感抗、回授电容与串流闸阻抗，目前可让 LDMOS 晶体管在双载子器件上提供 7 bB 的增益改善　　直接源极接地，提升功率增益并免除 BeO 或 AIN 隔离物质的需求　　在 GHz 频率下拥有高功率增益，带来更少设计步骤、更简易更具成本效益的设计（采用低成本、低功率驱动晶体管）　　运作面：　　绝佳的稳定性，由于负汲极电流温度常数，所以不受热散失的影响　　比双载子更能忍受较高的负载未匹配现象（VSWR），提高现场实际应用的可靠度　　卓越的射频稳定度，在闸极与汲极间内置隔离层，可以降低回授电容　　在平均无故障时间（MTTF）上有相当好的可靠度 LDMOS的特点及应用　　1.热稳定性；　　2.频率稳定性；　　3.更高的增益；　　4.提高的耐久性　　;5.更低的噪音；　　6.更低的反馈电容；　　7.更简单的偏流电路；　　8.恒定的输入阻抗；　　9.更好的IMD性能；　　10.更低的热阻；　　11.更佳的AGC能力。　　LDMOS器件特别适用于CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视等需要宽频率范围、高线性度和使用寿命要求高的应用。

2020-4-7 16:40:54 评论举报黄鸿江