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CustomMmic品牌产品选型资料 放大器 定制MMIC利用了我们对氮化镓（GaN），砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）和伪像高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的深刻理解，以提供RF /微波业界最先进的MMIC放大器。 我们的专家集成电路（IC）工程团队一直在设计创新的MMIC功率放大器（PA），低噪声放大器（LNA），低相位噪声放大器（LPNA），分布式放大器和驱动器放大器十多年。它们满足最苛刻的RF，微波和毫米波军事，空间和仪器仪表系统设计要求的需求。 与最重要的MMIC代工厂密切合作，定制MMIC继续使用广泛的半导体工艺推出高达50 GHz的GaAs和GaN性能边界。 ----------------------------------------------------------------------------------------- 衰减器 定制MMIC采用GaAs技术设计定制和标准表面贴装（SMT）封装和裸片吸收RF /微波衰减器，以满足各种高性能设计的需求。 具有电压可变衰减和超宽带性能，这些吸收衰减器可实现高达40 GHz（K波段），具有出色的插入损耗。 这些RF /微波MMIC采用50欧姆匹配设计，以消除端口匹配，完全钝化和防潮保护，增加可靠性。芯片尺寸小至2×2mm。 ----------------------------------------------------------------------------------------- 混频器 自定义MMIC专业设计的射频/微波MMIC混频器涵盖范围从6到45 GHz（C至V频段）的各种频段，低转换损耗和LO和RF之间的高隔离度以及LO和IF端口。 自定义MMIC的工程团队在我们的库中使用同相正交（I / Q），图像拒绝（IRM）和基本混频器设计，为RF /微波设计人员的MMIC混频器需求开发了一个强大且不断增长的解决方案目录。这些无引线表面贴装封装可用于上转换或下转换，而IRM和IQ混频器可用于图像消除或作为单边带上变频器。 IQ / IRM混频器使用两个双平衡混频器单元和90度混合器，而基本混频器可用作具有外部混合电路和功率分配器的IRM。 这些MMIC混合器的芯片尺寸小至3x3 mm，可以满足多种变频要求。 ----------------------------------------------------------------------------------------- 倍频器 自定义MMIC专门利用GaAs MMIC技术开发的RF /微波有源和无源频率乘法器，被提供为无源倍频器或具有50欧姆匹配设计的有源频率倍增器，从而无需外部DC模块和RF端口匹配。 这些宽带MMIC乘法器IC在用于无源器件的4 GHz至15GHz（C，X，Ku频带）和12 GHz至20 GHz（Ku，K频段）的有源器件的输入频段提供高性能。 这些乘法器MMIC提供高达17 dBm的高输出功率，并具有出色的Fo和3Fo隔离度，具有小的裸片尺寸。 ----------------------------------------------------------------------------------------- 移相器 定制MMIC提供了选择GaAs MMIC数字移相器，采用4位和5位配置的紧凑型4x4毫米无引线表面贴装（SMT）封装。 这些移相器的频带范围从2到17 GHz（S，C，X，Ku波段）可提供0度到360度的相位覆盖范围，而且分辨率低至11.25度。 这些RF /微波MMIC移相器设计具有低相位误差和低插入损耗，并且是一个50欧姆的匹配设计 - 无需外部DC模块和RF端口匹配。 ----------------------------------------------------------------------------------------- 射频开关 定制MMIC提供广泛的SPST，SPDT，SP3T，SP4T和SP5T射频/微波MMIC开关，其设计优化，可在极高的频率范围内提供卓越的开关性能，从DC到28 GHz（L，S，C，X，Ku ，K，Ka波段）。 这些MMIC开关采用双向，4路和5路非反射和反射开关设计，具有低插入损耗和高端口到端口隔离。开关速度快达1.8 ns，一些设计配有内置二进制解码器，可以减少逻辑控制线的数量。 这些MMIC开关在3x3 mm或4x4 mm的无引线（表面贴装）封装中占用最小的空间。
深圳市立年电子科技有限公司 联系人：王明 手机：15989509955 ` 
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