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嗯，听起来是可以接受的，是的
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现在的问题是，我必须在哪里与MOSFET连接这个电路？在源与地之间，还是在排水管与马达之间？在第一种情况下，当我连接电源和地之间的过流保护电路时，MOSFET立即过热。此外，随着CCPR1L的增加，电机不会立即开始旋转，而是仅在CCPR1L值超过阈值时才开始旋转。在后一种情况下，如果过流保护电路连接在漏极和电机之间，则0,3Ω电阻处的电压大于5。V（大约11V，5V），比较器不工作。老实说，我已经被这个案例搞糊涂了。我在电路中做了什么错事吗？有没有其他方法来检测PWM控制电机中的过电流？顺便说一下，我已经提到过比较器1是用来检测电池电压电平的，电压比较是用电压参考模块进行的。
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我用比较器非常好，我把这个电路放在地上（你的箱子2）……我不知道电压如何会变成11V…编辑：对不起，我读错了你的情况1应该工作，不知道发生了什么事。情况2当然会产生非常高的电压。
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嗨，0.3欧姆的电阻可能太高了，不适合与MOSFET一起使用。什么是电机启动电流，什么是电机平均运行电流？使用MOSFET组件类型？直接从微控制器输出管脚控制MOSFET是一项边际工作。过高地提高MOSFET源极管脚处的电压可能导致MOSFET工作在线性区域，增加晶体管中的功率损耗。这取决于MOSFET的特性，并且在元件类型之间变化很大。当晶体管导通时，必须计算测量电阻上的电压降，并与晶体管Vgs特性的数据表规范进行比较。当晶体管导通时，晶体管和测量电阻中的电流高于平均电机电流。还有许多其他方法，它们都涉及附加元件或附加成本。存在霍尔效应传感器，可以感测直流电流，在开关电路中也是如此。在CMOS IC元件中存在电压移位器，可以在开关电路的高端感应电流。存在MOSFET驱动器IC元件，以确保MOSFET或IGBT晶体管的快速开关：http://www.micro..com/ParamChartSearch/..aspx？branchID=9010&mid=11&lang=en&pageId=79您可以通过选择“低端”驱动程序类型和“单一”配置来缩小选择的范围。
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