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IGBT的静态特性其实并非难以理解的东西,即便是对于外行人而言。
刚接触那会儿，看到转移特性、输出特性之类的就想溜之大吉，加之网上查询的资料一概笼统简单，只描述特性曲线所表示的关系结果，却并不解释曲线为何这里弯曲、那里平直，于是更加烦恼。
但是，像我这样的心态，迟早被生活按在地上摩擦！所以最终还是安安心心去啃书整合资料了。为了让即将走上和我一样道路的小伙伴能更高效快速地搞懂IGBT的静态特性，接下来我将用最简单的语言为大家解释其中原理。
小伙伴们在网上查询“IGBT静态特性”时，总会出现图1所示的两种曲线：其中左侧用于表示IC-VGE关系的曲线叫做转移特性曲线，右侧表示IC-VCE关系的曲线叫做输出特性曲线。
图1.IGBT的转移特性曲线及输出特性曲线
先从简单的入手，我们来解释转移特性曲线。
一、转移特性(Transfer Characteristic)
IGBT的转移特性曲线是指输出集电极电流IC与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。
通过对IGBT内部结构的基本了解（没了解过的伙伴请点这里→“[初阶科普向] IGBT这玩意儿——定义怎么看 ”），我们知道IGBT可以理解为由MOSFET和PNP晶体管组成的复合晶体管，它的转移特性与MOSFET十分类似。为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。
图2.MOSFET截面示意图
当MOSFET的栅极-源极电压VGS=0V时，源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结，因此不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏、源极间没有导电沟道，器件无法导通，漏极电流ID为N+PN+管的漏电流，接近于0。
当0，栅极电压增加，栅极G和衬底p间的绝缘层中产生电场，使得少量电子聚集在栅氧下表面，但由于数量有限，沟道电阻仍然很大，无法形成有效沟道，漏极电流ID仍然约为0。
当VGS≥VGS（th）时，栅极G和衬底p间电场增强，可吸引更多的电子，使得衬底P区反型，沟道形成，漏极和源极之间电阻大大降低。此时，如果漏源之间施加一偏置电压，MOSFET会进入导通状态。在大部分漏极电流范围内ID与VGS成线性关系，如图3所示。
图3.MOSFET转移特性曲线
这里MOSFET的栅源电压VGS类似于IGBT的栅射电压VGE，漏极电流ID类似于IGBT的集电极电流IC。IGBT中，当VGE≥VGE（th）时，IGBT表面形成沟道，器件导通。
二、输出特性(Output Characteristic)
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时，漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。
由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构，它的输出特性曲线与MOSFET强相关，因此这里我们依旧以MOSFET为例来讲解其输出特性。
图4.MOSFET的输出特性曲线
由于研究输出特性时，我们通常以栅源电压VGS为参变量，因此这里假设VGS为某一固定值且VGS>VGS（th）。
在漏极电流ID达到饱和之前，VDS>0 V且较小，此时，VGD＞0V且接近于VGS，整个沟道存在大量的电子，等效于电阻，因此从输出特性曲线上看，该部分呈线性变化，如图4可变电阻区所示。此时沟道呈图5所示。
图5.VGD>0V时MOSFET剖面图
随着VDS继续增大，VGD逐渐降低，因此漏极附近的反型层电荷密度逐渐减小，漏、源之间的电阻逐渐增加，ID-VDS的斜率也逐渐减小。
当VGD=0时，漏极附近的反型层电荷密度减小为0，ID-VDS的斜率减小为0，沟道开始夹断(称之为预夹断)，此时漏极电流ID趋于饱和，不再随VDS的增加而增大，此时沟道呈图6所示。
图6.VGD=0 V时MOSFET剖面图
当VGD＜0 V时，漏极附近的沟道区开始耗尽，增加的VDS主要由耗尽区承担，VD'S基本保持不变，此后漏极电流饱和，如图4恒流区所示。此时沟道如图7所示。
图7.VGD＜0 V时MOSFET剖面图
当VDS继续增加，漏极N+区与衬底P区之间的PN结两端的电压降达到雪崩击穿电压，该PN结发生雪崩击穿，ID迅速增大，如图4击穿区所示。
以上三个过程用曲线表现的结果如图4所示。
其中当VDS>0且较小时，ID随着VDS的增大而增大，这部分区域在MOSFET中称为可变电阻区，在IGBT中称为非饱和区；当VDS继续增大，ID-VDS的斜率逐渐减小为0时，该部分区域在MOSFET中称为恒流区，在IGBT中称为饱和区；当VDS增加到雪崩击穿时，该区域在MOSFET和IGBT中都称为击穿区。
IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS，集电极电流IC类似于漏极电流ID，集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。
细心的童鞋们从图4和图1右的输出特性曲线可以看出，在线性区它们之间存在差异（没注意到的小伙伴也可以直接看下图中红框所标位置）。
这主要是由于IGBT在导通初期，发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。
至此，IGBT静态特性的曲线就分析完啦。
了解更多有关IGBT的知识，请关注我的公众号“橘子说IGBT”，每周更新，带你由浅及深地了解IGBT。
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