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你好，我想驱动一台交流三相电机，我用PIC18F46K22编写了一个程序，我可以使用电位器并改变它的不同参数，包括频率，但现在我有电力问题，以交付给交流电机，正如所描述的，它有7.5KW，在我的处置我有IGB。TsIIRG4PC50UD(600V,27A)和IRG4PC50FD(600V,39A)我想用这些IRG4PC40UD,你能帮我确定用那些型号的交流电机是否能够操作其指示板220/380V和7.5KW.另外,我想问一下三相电机驱动IR21362和IR21365是否能够替换。另一个（如果有人与我合作或理解它的数据表）可以帮助我解释。请帮助，问候，
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19个回答
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听起来你应该和英飞凌的应用工程师谈谈（他在不久前收购了IR）。
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听起来你应该和英飞凌的应用工程师谈谈。
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JEAN120，从控制低压无刷直流电动机开始。当你在低电压下获得成功后，移动到IGBT，但是从你的目标电压和功率的一部分开始。对于IGBT驱动、驱动电源、死区时间、电源平面布置等问题，您会遇到很多问题。从较小的电机开始，在较低电压下可以节省大量半导体，甚至可以节省使用寿命。
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对于直流电机，我只是通过产生PWM信号和接口到MOSFET来控制它们，MOSFET用于控制电机电感侧，PWM可以通过电位器或编码器调节，我做了更多的例子。对于IGBT，我想从三相300W感应开始。然后移动到7.5KW的电机，但是我认为控制是一样的，只有功率级改变（需要更多的特性），我现在的问题是IR21362不能输出300W的负载。你能否建议一下你是否曾经使用过它？或者Ir21365，如果你知道更多，请帮助！！
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对不起，我没有电机控制设计的实际经验。我能给你的任何建议都是我的尝试和错误。无论如何，最好是从参考设计开始。任何事情都很重要，包括布局。在正常情况下工作，自行设计的变频器可能无法生存短路，尽管保护。通常使可靠性大大降低的主要问题是不可控的瞬变。因此，在进行自己的设计计划时，首先要进行大电流跟踪。它们应该以最小的面积循环，最好是最小的长度。保持寄生电感的轨迹，并在电感满足电容的地方放置缓冲器。它们将响个不引入损耗（缓冲或负载）。请记住，高速开关可能导致相邻电路，尤其是驱动器上的大尖峰。在设计驱动程序时，保持逻辑和功率部分之间的最小电容。将逻辑迹线放置在逻辑接地平面附近，以保持它们的保护形式EMI。高速电压变化将通过寄生电容穿透相邻电路。急剧的电流变化会穿透一圈电线。电压变化部件之间的电容需要最小。电源电流痕迹应该是紧凑的。控制信号迹线也应紧凑，并应由其接地面屏蔽。将电流源（例如驱动器）放置在离电流接收者（功率晶体管）更近的地方。同时，确保电源将流过专用的轨迹，不会流过驱动器接地。如果可能的话，检查几个变频器并证明其可靠性。他们的设计师是如何做到这一点的？当你有足够的智慧看到每个元素、每个设计特征并理解它的用途时，你就可以自己设计了。没什么特别的建议。
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Heyi还打算设计3阶段vfd（现在不行）我附上一个文档，附带了ti附注（见第18页），最好的一点是，您不必担心共同点问题，mosfet i的引导程序对mosfet没有多少经验，但是没有使用igbtnot lets的经验。谈论事情要考虑效率吗？mosfets/igbt将加热并导致损耗，或者明智地选择损耗较小的器件，比如一个50安培500伏，19毫欧的mosfet，它会产生较少的热量，接下来要考虑的是开启或关闭时间，这会导致相当多的热敏mosfet，而现在实际上你的速度要小得多。R脉宽调制应该是什么？我通常用1%的最大正弦波频率，并且pwm ON TIME的时间段应该大于mosfet和mosfet驱动器的上升时间，如果你不用mosfet驱动器就会烧坏（我已经这样做了，呵呵）这是因为你必须在关掉它之前完全打开mosfet。还有其他的事情像散热器和散热器的设计，你们跟着这个让我知道我们可以进一步讨论：P和另外一件事，IIRG4PC50UD（600V，27A）和IRG4PC50FD（600V，39A）在7.5kvaat 220v的mosfet，它的34amps rms 20安培和380伏特，而用mosfe设计。Ts或IGBT我总是选择双额定电流只是为了安全，因为它的有效值和实际电流大于RMS。
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你好，这就是我想走的路，我想从300W的小功率开始，不幸的是它没有开动，IGBT没有开机，请帮忙。
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OkayToT打开一个IGBT是否有效？IGBT驱动器工作时检测同一IGBT的检测电压漏源
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对于三个顶部IGBT，我在第一个IGBT的栅极处得到信号，但是对于底部我也有信号，但是对于两个顶部没有信号。IR21362正在工作，因为我在第一个顶部IGBT的控制下得到输出。请帮忙！！
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如果两个顶部igbt门不工作，那么集成电路可能损坏，或者电路有问题，如果可能的话，如果二极管损坏或不损坏，请共享电路。我认为两个二极管损坏的可能性很小，但测试电容器的可能性很小。
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我发现当我得到一个小信号时，那一侧的二极管就损坏了，但是对于低端来说，我在所有三个IGBT上都获得了良好的信号，我应该怎么做才能得到顶端IGBT的输出，但是我怀疑我得到的信号在IGBT/MSFET VGS必须所在的位置是非常低的。就8V及以上而言，这里我得到1.4V，原因应该是什么。共享电路是不可能的，因为用于绘图的proteus没有IR21362，但是一旦你参考了微芯片的AN843，你就会发现IR21362是如何连接的。对于我来说，我在放置IR21之前添加了一个PIC+ULN2004。362、请告知，一切都好！！
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我不明白微芯片电路需要更多的时间，我假设电路设计没有问题，做一件事，开始给所有的栅提供方波，这样顶部和底部igbt正得到反向信号输出占空比1秒校验栅极，以漏出每个mosfet(不是g)的电压。用万用表来计算)EDIT:现在不要把220伏交流电仅仅放在电源控制器和igbt驱动器EDIT2上:当我说测试连接到引脚28,24,20的二极管时,我已经从英飞凌上传了附注,在附注上增加了一个链接(也上传了一张照片),但我不认为他们将允许我添加链接也检查IGBT栅极电阻器可以被损坏。
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我测试了IGBT是好的。
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我发现，用万用表测量直流电压时，PIC上的输出是变化的（可能是因为它是使用LUT的PWM），它给出的最大电压是0.2V到2.087V（使用RAO上的电位计），应该如何提高电压以使得到Ir21362？请帮助
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PIC上的VCC是什么？我希望是5VDO，你有示波器吗？给我的PWM引脚输出
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PIC的VCC是+5V，VCC和GND之间有耦合电容。PWM信号非常好，问题是它有一个低电压（0.2到2.08V-在AN0上用电位器调节）。用我的示波器可以只看到两个信号，不可能保存它们。明天就到这里来。
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你可以在PIC内部改变+VREF到2.048 V，而不是增加电压输出。
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你用的是什么照片？
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我使用的是PIC18F46K22和驱动器IR21362，我想增加一个缓冲区（使用LM324），这样PIC的输出可以保持在+5V，你能对此提出建议吗？请帮助
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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请问是否能把一个ADC值转换成两个字节用来设置PWM占空比？
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