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详细说明: TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的延迟时间为200 ns,光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述延迟时间均为工作温度范围内的保证值), 能够减少停滞时间,提高变频电路的效率。该产品采用的是使用寿命非常长的新型LED,因此其工作温度范围较大,在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备,包括极热环境下使用的工业设备、家用光电动力系统、数字家用电器、测量装置和控制装置。 封装: DIP-8 包装: 50PCS/TUBE TLP352参数: 电源电压:15 to 30 V 电源电流:3.0mA 温度:-40 to 125 ℃ 传播延迟时间:0.2 隔离电压:3750Vrms PKG(包装):DIP8 TLP352特征: 传输延迟时间: tpLH,tpHL=200ns () 耦合器之间的传输延迟时间差(PDD) = ±90ns () 工作温度范围大: Topr = ?40°C到125°C 峰值输出电流: IOP = ±2.5A () 低输入电流: IFHL = 5mA () 耐压: BVs = 3750Vrms (最小) TLP352应用: 交流伺服放大器 功率调节器 通用变频器 IH(感应加热) |
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