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这个一般由驱动电路电压确定,但是都不会超过18V。因它工作时是处于高速开关状态,所以直流是绝对不行的,驱动必须使用交流电流。 IGBT处于导通态时,因为它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。 由于N+区存在电导调制效应,所以IGBT的通态压降小,耐压1000V的IGBT通态压降为2~3V。IGBT处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。 IGBT的转移特性与MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态。 在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。
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偏置电路与宽带偏置电路(Bias-Tee)-----电感器比较与选择
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