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而日益提升的可靠性促使制造商也减少了机械系统和增加固态系统，包括针对电源、负载和固态功率器件的保护电路……那么到底该怎么来解决汽车和工业应用中的电设计问题呢？
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ADI 电源产品组的设计工程师 Mark Mullen 就上述问题为大家分享了一个基于 LCT7000 受保护的高压侧驱动器解决方案。
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特点一、低延迟、速度快
LTC7000 在 INP 引脚上接收一个参考于地的低电压数字信号、把该信号电平移位至高达 VIN 电压。并控制片内低阻抗上拉和下拉器件，能快速接通或判断一个其漏极可高出地电位达 135V 的高压侧 N 沟道 MOSFET。从低电压 INP 信号至得到全面强化或被完全关断的 N 沟道 MOSFET 之传播延迟约为 35ns，这也促成了许多应用。 |
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特点二、功率低损耗，稳定性强
位于 BOOST 和 TS 引脚之间的浮动电源在内部调节至 12V，从而降低了由外部 MOSFET 之导通电阻引起的功率损耗。而强大的输出器件把外部 MOSFET 保持在由低电压 INP 信号控制的状态中，即使在高电压和高频瞬变从功率 MOSFET 反馈耦合至驱动电路的情况下也不例外。 |
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特点三、可调电流限制
ISET 引脚上的电压被除以 20 以设定为电流检测门限。ISET 引脚会流出一个 10µA 电流，因此只需在 ISET 引脚和地之间布设一个电阻器，这样就可以调节电流检测门限。如果 ISET 引脚浮置，则电流检测门限默认为 30mV。而如果 ISET 引脚接地，那么电流检测门限为 20mV。 |
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特点四、电流监视器输出
可通过测量IMON 引脚上的电压来监视流过高压侧检测电阻器的平均电流。当外部 MOSFET 导通时，出现在 IMON 引脚上的电压是检测电压，(VSNS+ – VSNS–) x 20。假设检测电阻器为 2mΩ，则 400mV 的 IMON 电压表示有 10A 电流流过检测电阻器。IMON 电压的平均时间大致为 1MΩ 乘以 IMON 引脚上的任何电容。例如，如果 IMON 引脚上的电容为 1nF，则 IMON 输出电压的平均时间大约为 1ms。 |
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特点五、可调输入欠压和过压闭锁
LTC7000 能够避免负载遭受 VIN 引脚上的过压和欠压情况的损坏。“一个连接在 VIN 和地之间、且抽头连接至 RUN 和 OVLO 引脚的简单电阻分压器将设定一个针对负载的有效操作窗口。当 VIN 位于由 RUN 和 OVLO 引脚所设定的操作窗口之外时，则关断外部 MOSFET，并保护负载免遭潜在损坏或发生故障。” Mark Mullen这样谈到。 |
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