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嗨，我正在试着从25LC1024读写数据。如果我在0x000 010的位置写“A”，我们需要在相同的内存位置写入新的数据之前擦除数据，或者我们可以在那个内存地址上覆盖新的数据。如果我要连续写10个字节，在0x000 010'，'b'在0x000 011，等等。写数据是正确的方法吗？
以上来自于百度翻译 以下为原文 Hi, I am trying to read and write data from 25lc1024. If I write 'A' at 0x00010 location.Do we need to erase the data before writing new data at same memory location or we can just overwrite the new data on that perticular memory address. If I want to write 10 bytes sequentially, say 'A' at 0x00010, 'B' at 0x00011 and so on. Is it correct way to write the data? 
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谢谢您的回复。还有一个疑问：在我的应用程序中，我不能累积字节来使用页面写，因为我得到了字节，我必须继续写它。在这种情况下是页面写建议？2 -如果我们没有256字节，但是我们使用100字节来使用页写来写，那么我们可以利用同一页中的剩余内存来写一些其他的数据吗？
以上来自于百度翻译 以下为原文 Thank you for response. One more doubt: In my application I can not have accumulated byte to use page write, As I get the bytes I have to keep writing it. In this case is Page write suggested? 2- If we dont have 256 bytes, but we use say 100 byte to write using Page write, then can we utilize rest of the memory in the same page to write some other data later on? |
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我可以继续写我的数据字节明智，许多说700至800字节，并以同样的方式读取它们。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Can I keep writing my data byte wise as many say 700 to 800 bytes, and read them back the same way. |
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我能从EEPROM中的任何一个地址开始写作吗？
以上来自于百度翻译 以下为原文 Can I start writing from any of the address in EEPROM? |
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是的，是的，是的，你可以在没有任何关心的情况下对每一个地方进行书写/阅读。只要小心，当你写一个“页面”，即所有东西的缓冲区时，一个不能大于128个字节（0…127）。
以上来自于百度翻译 以下为原文 Yes, yes, and yes You can write/read to every location without any care. Just be careful that when you write "a page" i.e. a buffer of stuff all together, that one cannot be larger than 128 bytes (0..127) |
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只有小组成员才能发言，加入小组>>
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