高效同步窄电压直流系统稳压器和电池充电器控制器BD99950MUV

半导体

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，由其推出的BD99950MUV电池充电芯片是一款高效、同步窄电压直流（NVDC）系统稳压器和电池充电器控制器，其内置两个分别驱动N沟道MOSFET的电荷泵，可用于自动选择系统电源，非常适用于超极本、笔记本电脑、超便携电脑和平板电脑等应用领域。

BD99950MUV电池充电芯片的输入电压范围为6.0V~24.0V，输出电压范围为3.072V~16.384V。其具有高度的设计灵活性，充电电压，充电电流，AC适配器电流和最小系统电压可通过SMBus编程，充电电压分辨率为16mV，充电器电流分辨率为64mA，输入电流分辨率为64mA，最小系统电压分辨率为64mV；另外，对于小型电感，PWM开关频率也可由SMBus编程，最高可达1.2MHz（范围为600kHz~1.2MHz）。

BD99950MUV电池充电芯片具有高精度优势。其充电电压精度和最小系统电压精度均高达±0.5％，充电电流精度和输入电流精度均为±3％，电流放大器输出精度高达±2％，高精度使得产品可以精确的控制电池充放电，有利于保护设备电气安全，并延长设备使用寿命；同时，BD99950MUV电池充电芯片具有低功耗的优势，其待机电流典型值仅为17μA，断态电池放电电流为15μA，功率损耗最高仅1.64W，非常适用于以低功耗为主要考虑因素的应用领域，如便携式笔记本设备；另外，BD99950MUV具有快速响应能力。在Turbo模式下具有超快速瞬态响应，时间低于100μs，在没有电池或电池耗尽的情况下可瞬时接通运行，最大限度的提高CPU性能。

BD99950MUV电池充电芯片的储存温度最大范围为-55℃~150℃，结温范围为-20℃~125℃，操作温度范围为-10℃~85℃，满足商业级产品的应用需求，可以很好地应用于消费电子领域。采用20引脚VQFN20PV3535封装，尺寸为3.50mm*3.50mm *1.00mm。其封装外形、引脚配置如下：

图1 BD99950MUV电池充电芯片封装外形

图2 BD99950MUV电池充电芯片引脚配置

BD99950MUV电池充电芯片突出特点与优势
·N沟道MOSFET可通过内部电荷泵选择电池或适配器
·Turbo模式下的快速DPM瞬态响应（<100μs）
·通过BGATE电荷泵进行涓流充电
·低工作电流BGATE电荷泵，17μA（典型值）
·MLCC输出电容器
·无电池或电池耗尽的情况下的快速负载电流瞬态响应
·NMOS-NMOS同步降压控制器
·可编程600kHz~1.2MHz开关频率
·可编程充电电压（16mV分辨率）、充电器电流（64mA分辨率）、输入电流（64mA分辨率）、最小系统电压（64mV分辨率）
·±0.5％充电电压精度
·±3％充电电流精度
·±3％输入电流精度
·±0.5％最小系统电压精度
·±2％20x输入电流放大器输出精度
·集成环路补偿
·电池学习（LEARN）功能
·交流适配器工作范围：6.0V~24.0V
·20引脚 3.5mm×3.5mm VQFN20PV3535封装

BD99950MUV电池充电芯片应用领域
·超极本
·笔记本电脑
·超便携电脑
·平板电脑

郝汉 · 2019-4-1 10:26:16

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