[问答]

罗姆成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时还可减少部件个数。生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），从6月份开始出售样品，从7月份开始陆续量产。 ※根据罗姆的调查（截至2012年6月14日）现在，在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电导致的特性劣化（导通电阻和正向电压的上升／耐性劣化）和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多，之前无法实现真正的全面导入。此次，罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造，成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且，与传统产品相比，单位面积的导通电阻降低了约30％，实现了芯片尺寸的小型化。另外，通过独创的安装技术，还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装，使SiC-MOSFET的体二极管长久以来的课题—降低正向电压成为可能。由此，与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT相比，工作时的损耗降低了70％以上，实现了更低损耗的同时，还实现了50kHz以上的更高频率，而且有助于外围部件的小型化。 0
2019-3-18 23:16:12　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × zkzk196599 该类别下有 1 个回答。邀请回答 xinge158 该类别下有 1 个回答。邀请回答 IC阿祥该类别下有 1 个回答。邀请回答 wangke2010 该类别下有 1 个回答。邀请回答 jfsuwef 该类别下有 1 个回答。邀请回答 wewxvqer 该类别下有 1 个回答。邀请回答 bgvywerq 该类别下有 1 个回答。邀请回答 bf7560 该类别下有 1 个回答。邀请回答卜东青是的该类别下有 1 个回答。邀请回答 feipu67015 该类别下有 1 个回答。邀请回答 www037 该类别下有 1 个回答。邀请回答 h1654155957.9572 该类别下有 1 个回答。邀请回答 binro 该类别下有 1 个回答。邀请回答 testd28 该类别下有 1 个回答。邀请回答 xiaohongchen615 该类别下有 1 个回答。邀请回答 www030 该类别下有 1 个回答。邀请回答 safaafd 该类别下有 1 个回答。邀请回答 szzjfyp 该类别下有 1 个回答。邀请回答 healson2001 该类别下有 1 个回答。邀请回答 jf_82587521 该类别下有 1 个回答。邀请回答举报陈萍相关推荐 • SCT30N120内部体二极管能够像mosfet一样处理电流吗？ 1322 • 罗姆在功率元器件领域的探索与发展 1810 • 纬湃科技选择罗姆为其SiC技术的首选供应商 2071 • 如何实现一体化芯片-封装协同设计系统的设计？ 1430 • 罗姆在功率元器件领域的发展与变革 1578 • SiC SBD 晶圆级测试求助 1689 • SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？ 1623 • SIC MOSFET 2234 • 什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？ 8495 • 如何设计基于SiC-MOSFET的6.6kW双向电动汽车车载充电器？ 13341 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装并开始量产

2019-3-19 10:22:39 评论举报马祥