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DN05090 / D，设计说明是一种特殊的NIS5452配置，旨在允许电流限制在比标准NIS5452配置更低的电流水平（约1.4A与4.5A）。像NIS5452这样的eFuse有两个限流电平：过载和短路。过载或短路电平是否适用取决于内部功率MOSFET的工作区域。当MOSFET处于三极管区域且输出电压较高时会发生过载，当MOSFET处于饱和状态时会发生短路 
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