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g被称为栅极,d为漏极,s为源极,B为衬底,在实际生产中,衬底与源极相连,所以MOS管一般有三个极。四类MOS管增强型运用较为普遍,下图是画原理图时增强型NMOS和PMOS管的符号: 漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(指有线圈负载的电路,如马达),这个二极管很重要。 对于NMOS管,通常源极s接地,只要Vgs大于一定的值就会导通,只要在漏极加上一个电压,漏极和源极之间就会形成电流Id。对于PMOS管,通常源极接VCC,只要Vgs小于一定的值就会导通,只要在漏极加上一个电压,漏极和源极之间就会形成电流Id。由于PMOS管导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因, NMOS管使用更为普遍。 如上图所示,当Vgs达到4.5V 时,Vds等于0.5V时Id等于6安培,漏极和源极间的阻抗只有83毫欧,可以认为压降已经很小了。 P沟道MOS管开关电路 N沟道mos管开关电路 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。说白了就是P沟道适合小功率,N沟道适大功率,都是电压控制器件,在高或者低电平时导通,具体怎么的呢,直接上图: P沟道和N沟道MOS管开关电路连接方法
如图所示: 左图是P沟道MOS开关,箭头指向外面,接法为:S接输入;D接输出;G为控制端,低电平时导通 右图是N沟道MOS开关,箭头指向里面,接法为:D接输入;S接输出;G为控制端,高电平时导通 G为栅极、D为漏极、S为源极
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