高通MSM8909芯片项目案例资料

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2018-12-17 18:50:44 3085

0 高通MSM8909芯片项目案例资料 MSM8909，高通MSM8909的原理图及PCB，PCBlayout指南，绝对的干货，不是干货都不分享给你们，资料比较难找，自行下载吧，都放在闯客网技术论坛，还有一个高通芯片资料交流群：813238832，也可以在群上下载资料，群上的大牛比较多，可以讨论交流问题概况 msm8909即骁龙210处理器，可为入门级智能手机提供 4G LTE 连接、丰富功能和出色性能，同时还能为您保证续航时间特性：CPU：4x ARM Cortex A7，GPU：Adreno 304，存储：eMMC 4.5和SD 3.0 (UHS-I)，充电：Quick Charge 2.0，制程技术：28nm，调制解调器：骁龙X5 LTE，多媒体：支持1080p视频播放、720p视频拍摄和高支持800万像素的摄像头，无线连接：Wi-Fi、USB 2.0、蓝牙4.1、NFC，定位：GPS。印刷电路板（PCB）设计者可以使用这个单独的文档进行机械和布局指令而不是下载所有芯片组的设计指南并搜索布局材料嵌入其中的每一个。系统和电路设计者仍然被鼓励研究重要的设计指南除了PCB详细信息外。参考MSM8909/MSM8209/MSM8208芯片组介绍设计指南/培训幻灯片（80-NP408-5A）以供参考。图一堆栈总结 1-2-1PCB堆栈为连接整个系统带来了许多困难。全信号各层应参考固体参考平面(功率或GND)以允许良好的信号返回路径。如果信号改变了参考平面，请记住将缝纫通孔放置在附近，或者参考平面处于不同的电位，将旁路电容器放置在附近。此外，功率层和GND层是相邻的——以便于功率和GND之间的最小间隔平面，并尽量减少寄生电感在PDN。 2-4-2PCB堆叠减轻了与1-2-1PCB相关的许多设计挑战堆叠起来。首先，它提供了两层额外的路由资源。第二，它允许所有MSM信号立即作为带状线传输线以实参照平面出现附近有良好的阻抗控制。它保持了接近所有GND平面的配置功率层，以减少环路电感的PDN。 PDN设计中的直流考虑从降压调节器感测点或从降压的大容量电容器来的直流电阻路径对MSM球的稳压器必须满足PDN DCR规范。线性低辍学稳压器（LDO），直流电阻路径是从PMIC LDO引脚到MSM球。两个从稳压器的VDD侧到MSM VDD球和调节器VSS的电阻侧面的MSM VSS球一起必须符合PDN DCR规范。向MSM提供电力的配电网络的阻抗对于电源电压，不仅在直流，而且在很宽的频率范围。不足的PDN可以导致违反表3-1中列出的规格。表3-2列出了PDN最大值阻抗规范。 0
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