[电源设计]

可避免栅极电流回路机制的并联IGBT驱动器

2018-12-7 14:05:13 2378 驱动器 IGBT 电源

0 描述对于具有较高输出额定功率的电源转换设备而言，并联 IGBT 变得很有必要，因为在这类应用中，单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。此 ti 设计采用一个增强型隔离式 IGBT 栅极控制模块来驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器，这种器件具有多种集成特性，如去饱和检测和软关断（以便在故障情况下保护 IGBT）。外部 BJT 电流增压级可提高栅极驱动电流 (15A)，而不必牺牲软关断特性。此外，该设计展示了在 IGBT 并联运行时避免栅极电流回路的机制。主要特色设计用于驱动额定电压为 1200V 的并联 IGBT 模块（总栅极电荷高达 10μC）采用外部 BJT 缓冲级，拉/灌电流额定值高达 15 Apk 使用内置 DESAT 和可调软关断时间实现 IGBT 短路保护内置共模扼流圈和发射极电阻，用于限制发射极环路电流 8000Vpk VIOTM 和 2121Vpk VIORM 增强型隔离极高的 CMTI：100KV/us 0 Schematic/Block Diagram.pdf 637.99 KB , 下载次数: 9 物料清单.pdf 52.52 KB , 下载次数: 6 层图（或 PCB 布局）.pdf 1.74 MB , 下载次数: 6 组装图.pdf 354.45 KB , 下载次数: 4 CAD 文件.zip 1.05 MB , 下载次数: 4 光绘文件.zip 186.55 KB , 下载次数: 4
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