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MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 （一）MOS管的使用优势 MOS管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 MOS管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些MOS管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 （二）电路符号 常用于MOS管的电路符号有很多种变化，最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道垂直的线代表源极与漏极，左方和通道平行而且较短的线代表栅极，如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替，以区分增强型MOS管（enhancementmodeMOSFET）或是耗尽型MOSFET（depletionmodeMOSFET）。 由于集成电路芯片上的MOS管为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。MOS管电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOS管。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOS管，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）；反之若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOS管，简称NMOS。在一般分布式MOS管元件（discretedevice）中，通常把基极和源极接在一起，故分布式MOS管通常为三端元件。而在集成电路中的MOS管通常因为使用同一个基极（commonbulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS管的栅极端多加一个圆圈以示区别。 
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偏置电路与宽带偏置电路（Bias-Tee）-----电感器比较与选择
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