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` TVS管与齐纳二极管:与传统的齐纳二极管相比,TVS管P/N结面积更大,这一结构上的改进使TVS管具有更强的高压承受能力,同时也降低了电压截止率,因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。 很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作ESD保护,不但便宜而且设计简便,但这类器件对高压的承受力却比较弱。5kV的冲击会造成约10%陶瓷电容失效,到10kV时,损坏率达到60%,而TVS管可以承受15kV电压。在手持设备的使用过程中,由于与人体频繁接触,各个端口必须至少能够承受8kV接触冲击(IEC61000-4-2标准),可见使用TVS管可以有效保证最终产品的合格率。 TVS管与MLV:多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制,此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系,截止电压可达最初中止电压的2~3倍,这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护,如电源回路。而TVS管具有更好的电压截止因子,同时还具有较低的电容,这一点对于手持设备的高频端口非常重要,因为过高的电容会影响数据传输,造成失真或是降级。TVS管的各种表面封装均适合流水线装配的要求,而且芯片结构便于集成其它的功能,如EMI和RFI过滤保护等,可有效降低器件成本,优化整体设计。 另一个不能忽略的特点是TVS管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上,现有很多将EMI过滤和RFI防护等功能与TVS管 集成在一起的器件,不但减少设计所采用的器件数目降低成本,而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。 |
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《电子工程师必备——九大系统电路识图宝典》之浅读负反馈以及四种组态
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