[问答]

关于使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电完整解决方案

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 想必坛子里的各位侠士都非常清楚，ADI拥有广泛且高性能的CMOS产品，并提供大量多功能器件，主要还是为了帮助设计人员能够针对特定设计需求找到合适的器件。不过，大家兴许还不知道，ADI在关于使用SiGe技术和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电解决方案上，也有完美的答案哦，让版主带大家一起来瞧瞧吧。完整解决方案专场下图是一个Eaton ADS8系列过载继电器，提供20个载波，每个载波的带宽为20MHz，也就是400MHz的完整带宽。这个载波可以转到平台，成为AD9172。这是一个基于28nm CMOS技术的16位双通道平台，可以采样12GHz信号。该平台提供800-1.2GHz的带宽载波，特别是LTE载波，将会转至低通滤波器以便降低镜像。在滤波的输出端，转至调制器，即新型的基于SiGe的调制器ADMV1013，该SiGe器件将会从PLL VCO ADF5356中获取一个时钟。因此，ADF5356内部拥有一个倍频器，可以提供一个8GHz的时钟。在调制器的内部，再次将时钟乘以4，即可获得32GHz的输出。所以，在频谱分析仪上，可以观察到的是一个中心频率为32GHz、带宽为400MHz的信号。新型ADMV1013可以实现两个输入，一个支持从直流到4GHz的基带，或是一个支持从800到6GHz带宽的IF输入。输出频率可支持从26到44GHz。所以在此处看到的是一个只有3个集成部件的发射机无线电解决方案。以上就是ADI提供的新的完整的系统解决方案。完整解决方案专场 0
2018-8-1 09:49:01　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × cong29898 该类别下有 74 个回答。邀请回答 bwerwer 该类别下有 68 个回答。邀请回答尼克wo 该类别下有 46 个回答。邀请回答崇明土匪该类别下有 45 个回答。邀请回答脑洞大赛7 该类别下有 40 个回答。邀请回答 xieweibin 该类别下有 40 个回答。邀请回答 yfdsfqdqd 该类别下有 38 个回答。邀请回答 wjwierw 该类别下有 38 个回答。邀请回答 Arttronix 该类别下有 32 个回答。邀请回答 bgvywerq 该类别下有 25 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答 wyerwwr 该类别下有 24 个回答。邀请回答 easonl 该类别下有 24 个回答。邀请回答 evpt 该类别下有 24 个回答。邀请回答脑洞大赛20 该类别下有 22 个回答。邀请回答 60user167 该类别下有 22 个回答。邀请回答 keven杨该类别下有 21 个回答。邀请回答 HTJD 该类别下有 20 个回答。邀请回答胡bbs2 该类别下有 19 个回答。邀请回答 xiaokanchenfu 该类别下有 19 个回答。邀请回答 ci56789 该类别下有 19 个回答。邀请回答举报顾天天相关推荐 • 全面了解基于射频捷变频收发器AD9361的软件定义无线电解决方案 2904 • 24GHz毫米波雷达系统 6535 • 什么是Altera最新28nm FPGA技术？ 2655 • 软件无线电接收SLE串口透传信号问题 310 • 毫米波无线电的最优技术选择探讨 1307 • 具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能 1668 • 24GHz近程雷达在停车辅助系统中有什么作用？ 1201 • 宽带巴伦设计的3 GHz至20 GHz高性能混频器 1888 • 请问用德国innosent的24GHZ雷达前端做汽车盲区监测有推荐方案吗？ 2043 • Elster公司智能电表解决方案 3082 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 ADF5356 ADF5356是一款集成压控振荡器（VCO）的13.6GHz新一代宽带合成器。它的目标应用为无线基础设施、微波点对点链路、电子测试与测量、以及卫星终端等。ADI公司的宽带RF合成器具有精简的系统尺寸、全面的设计功能以及高达13.6 GHz的出色性能。 ADF5356原理框图 ADF5356产生的RF输出为53.125 MHz至13.6 GHz，频率范围中无任何间隙，因此该器件可作为多频段合成器使用，无需多个特定频段VCO/合成器产品，可减少元件数量、节省电路板空间并降低功耗。由于ADF5356可提供卓越的PLL品质因数(FOM)、超低VCO相位噪声、极低整数边界和相位检测器杂散，因此，既可以实现理想的宽带范围，又无损于其工作性能。欲了解ADF5356详情，请点击：ADF5356 数据手册和产品信息 \| 亚德诺半导体

2018-8-1 10:00:08 评论举报顾天天

答案对人有帮助，有参考价值 0 SiGe技术知要 SiGe和CMOS都是当前主流集成电路工艺。而作为一种高于普通硅器件的高频半导体材料，SiGe的应用领域非常广泛，尤其是在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：前置放大器、WLAN功率放大器、低噪声放大器（LNA）等。也正是由于它的高频特性，所以才广泛应用于电子测试产品中。硅化锗技术具有很多极具吸引力的优点。作为一个硅材料中的“小弟”，SiGe既有硅工艺集成度的成本优势，又具备第3类到第5类半导体（GaAs）和磷化铟（InP）速度方面的优点。SiGe器件的工作频率可高达350GHz，而普通的硅芯片工作频率只能达到几个GHz，而且它的电池速度为变通硅半导体的2到4倍。

2018-8-1 10:18:27 评论举报顾天天