内存常见术语介绍

2011-2-26 15:42:48 4910

内存常见术语介绍

　　BANK：BANK是指内存插槽的计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流的基本运作单位。
　　
　　内存的速度：内存的速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费的时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位。
　　内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是 DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC 的主机板上的专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上 DRAM芯片(chips)的数量和个别芯片(chips)的容量，是决定内存模块的设计的主要因素。
　　
　　SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有数目不等的记忆IC，可分为以下2种型态：
　　
　　72PIN：72脚位的单面内存模块是用来支持32位的数据处理量。
　　
　　30PIN：30脚位的单面内存模块是用来支持8位的数据处理量。
　　
　　DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN）用来支持64位或是更宽的总线，而且只用3.3伏特的电压，通常用在64位的桌上型计算机或是服务器。
　　
　　RIMM：RIMM模块是下一世代的内存模块主要规格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片组所支持的内存模块，其频宽高达1.6Gbyte/sec。
　　
　　SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）：这是一种改良型的DIMM模块，比一般的DIMM模块来得小，应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等。
　　
　　PLL：为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确的存取资料。
　　
　　Rambus 内存模块（184PIN）：采用Direct RDRAM的内存模块，称之为RIMM模块，该模块有184pin脚，资料的输出方式为串行，与现行使用的DIMM模块168pin，并列输出的架构有很大的差异。
　　
　　6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers)：指的是电路印刷板PCB Printed Circuit Board 用6层或4层的玻璃纤维做成，通常SDRAM会使用6层板，虽然会增加PCB的成本但却可免除噪声的干扰，而4层板虽可降低PCB的成本但效能较差。
　　
　　Register：是缓存器的意思,其功能是能够在高速下达到同步的目的。
　　
　　SPD：为Serial Presence Detect 的缩写，它是烧录在EEPROM内的码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测的动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存的相关资料。
　　
　　Parity和ECC的比较：同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码 (error detection codes)上，他们增加一个检查位给每个资料的字元(或字节)，并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。
　　
　　缓冲器和无缓冲器（Buffer V.S. Unbuffer）：有缓冲器的DIMM 是用来改善时序(timing)问题的一种方法无缓冲器的DIMM虽然可被设计用于系统上，但它只能支援四条DIMM。若将无缓冲器的DIMM用于速度为100Mhz的主机板上的话，将会有存取不良的影响。而有缓冲器的DIMM则可使用四条以上的内存，但是若使用的缓冲器速度不够快的话会影响其执行效果。换言之，有缓冲器的DIMM虽有速度变慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。
　　
　　自我充电 (Self-Refresh)：DRAM内部具有独立且内建的充电电路于一定时间内做自我充电，通常用在笔记型计算机或可携式计算机等的省电需求高的计算机。
　　
　　预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL。例如CL=3，表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显著影响。
　　
　　时钟信号 (Clock)：时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用，同步记忆体的存取动作必需与时钟信号同步。
　　
　　电子工程设计发展联合会议 (JEDEC)：JEDEC大部分是由从事设计、发明的制造业尤以有关计算机记忆模块所组成的一个团体财团，一般工业所生产的记忆体产品大多以JEDEC所制定的标准为评量。
　　
　　只读存储器ROM (Read Only Memory)：ROM是一种只能读取而不能写入资料之记燱体，因为这个特所以最常见的就是主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备的基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口，所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料。
　　
　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：为一种将资料写入后即使在电源关闭的情况下，也可以保留一段相当长的时间，且写入资料时不需要另外提高电压，只要写入某一些句柄，就可以把资料写入内存中了。
　　
　　EPROM (Erasable Programmable ROM)：为一种可以透过紫外线的照射将其内部的资料清除掉之后，再用烧录器之类的设备将资料烧录进 EPROM内，优点为可以重复的烧录资料。
　　
　　程序规画的只读存储器 (PROM)：是一种可存程序的内存，因为只能写一次资料，所以它一旦被写入资料若有错误，是无法改变的且无法再存其它资料，所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用。
　　
　　MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。
　　
　　随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。
　　
　　动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是 Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见。
　　
　　FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多数为72IPN或30PIN的模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内的资料。
　　
　　EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PIN的模块。
　　
　　SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新的DRAM架构的技术；它运用晶片内的clock使输入及输出能同步进行。所谓clock同步是指记忆体时脉与CPU的时脉能同步存取资料。SDRAM节省执行指令及数据传输的时间，故可提升计算机效率。
　　
　　DDR：DDR 是一种更高速的同步内存，DDR SDRAM为168PIN的DIMM模块，它比SDRAM的传输速率更快， DDR的设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统。
　　
　　DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
　　
　　DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
　　
　　RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它的速度约一般DRAM的10倍以上，虽有这样强的效能，但使用后内存控制器需要相当大的改变，所以目前这一类的内存大多使用在游戏机器或者专业的图形加速适配卡上。
　　
　　VRAM (Video RAM)：与DRAM最大的不同在于其有两组输出及输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料。
　　
　　WRAM (Window RAM)：属于VRAM的改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式。
　　
　　MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的内部分成数个各别不同的小储存库 (BANK)，也就是数个属立的小单位矩阵所构成。每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或加速卡中。
　　
　　静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是 Static Random Access Memory 的缩写，通常比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定。所谓静态的意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取。因为此种特性，静态随机处理内存通常被用来做高速缓存。
　　
　　Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM，通常被用于电脑上的 Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机的系统时脉外。
　　
　　Sync SRAM：为同步SRAM，它的工作时脉与系统是同步的。
　　
　　SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数增加绘图控制器。
　　
　　高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度的内存是被设计用来处理运作CPU。快取记忆体是利用 SRAM 的颗粒来做内存。因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal)。外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache。
　　
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一种标准的卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品，其种类可以分为：
　　
　　Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的记忆卡以及最近打印机所使用的DRAM记忆卡。

　　Type 2：5.5mm的厚度，通常设计为笔记计算机所使用的调制解调器接口(Modem)。

　　Type 3：10.5mm的厚度，被运用为连接硬盘的ATA接口。

　　Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于数字相机。
　　
　　FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉后储存在Flash内存中的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
　　
　　重新标示过的内存模块（Remark Memory Module）：在内存市场许多商家都会贩售重新标示过的内存模块，所谓重新标示过的内存模块就是将芯片Chip上的标示变更过，使其所显示出错误的讯息以提供商家赚取更多的利润。一般说来，业者会标示成较快的速度将( -7改成-6)或将没有厂牌的改为有厂牌的。要避免购买到这方面的产品，最佳的方法就是向好声誉的供货商来购买顶级芯片制造商产品。
　　
　　内存的充电 (Refresh)：主存储器是DRAM组合而成，其电容需不断充电以保持资料的正确。一般有2K与4K Refresh的分类，而2K比4K有较快速的Refresh但2K比4K耗电。

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2 个讨论

0 AGP(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口　Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。 Access Time－存取时间　RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。 Address-地址　就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。 ANSI (American National Standards Institute) 　美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。 ASCII （American Standard Code for Information Interchange）　美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。 ASCII 编码体系采用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。 Async SRAM-异步静态内存　一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。 BSB (Backside Bus) 　后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。 Bandwidth－带宽　1、传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。　2、内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。 Bank （参照memory bank）－内存库　在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。　1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）　2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。　3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。 Bank Schema －存储体规划　一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。 Base Rambus －初级的Rambus内存　第一代的Rambus内存技术，1995年面市。 Baud －波特　1、表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。　2、在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。 BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术　这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。 Binary －二进制　把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。 BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统　启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种操作做准备。 Bit－位、比特　计算机所能处理信息的最小单位。因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。 BLP－底部引出塑封技术　新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。 Buffer－缓冲区　一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。 Buffered Memory－带缓冲的内存　带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。 BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器　BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。 Burst Mode－突发模式　当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象 Bus－总线　计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。 Bus Cycle－总线周期　主存和CPU之间的一次数据交流。 Byte－字节　信息量的单位，每八位构成一个字节。字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。 Cacheability－高速缓存能力　主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。 Cache Memory－高速缓存存储器　也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1M联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)，是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。 CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲　在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。 CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟 CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。 CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器　同EDRAM（Enhanced DRAM） Checksum－检验和，校验和　在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。　参考Parity（校验） Chipset－芯片组　把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。 Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装　薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。 Compact Flash－紧凑式闪存　一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。 Concurrent Rambus－并发式总线式内存　Rambus内存的第二代技术产品。Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、视频游戏机。 Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组　一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体　用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、处理器等。 CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元　计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。 Credit Card Memory －信用卡内存　主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个信用卡，因此而得名。 CSRAM 　同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。 DDR(Double Data Rate SDRAM)－双数据输出同步动态存储器。　DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。 Desktop－台式机，桌上型电脑 Die－模子，芯片颗粒 DIME （Direct Memory Execution）　直接内存执行功能 DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组　形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。 Direct Rambus－直接总线式随机存储器　Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。 DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装　DRAM 的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。 Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器　该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。 DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取　通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。 DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器　最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。 Dual Independent Bus (DI－双重独立总线　英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。奔腾II电脑就有DIB总线。 ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码　ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。　ECC另有一种解释是Error Checking & Correction ,既错误检查与更正。　带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。 EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器　有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。　EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。 EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器　动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 　电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。 EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构　将附加卡（例如视频卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。不过，EISA卡只能与EISA系统匹配。EISA总线的操作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。 EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰　任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。 EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范　这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。需要有专用的驱动管理程序支持，如EMM386.EXE EOS (ECC on SIMM) 　IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。 EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器　一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。 ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存　Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。 Even Parity－偶校验　一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。 FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器　东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。 Fast-Page Mode－快速翻页模式　一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。 Firmware－固件，韧件　简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和资源。 Flash Memory－闪烁存储器，闪存　闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。 FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。 Form Factor－形态特征　用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。 FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器　一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。　若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。 FSB (Frontside Bus)-前端总线　在CPU和内存之间的数据通道。 Gigabyte /GB－吉(咖)字节　约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。 Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位　约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。 Heat Spreader－散热片　覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。 Heat Sink－散热片　CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。 HY （Hyundai）－韩国现代电子公司 Hyper Page Mode DRAM 　同EDO DRAM IC (Integrated Circuit)－集成电路　半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。　特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。　　主要的内存IC厂商代号：代　号厂商英文名厂商中文名代　号厂商英文名厂商中文名 KM SamSung 三星 TC Toshiba 东芝 LH Sharp 夏普 MN Panasonic 松下 HM Hitachi 日立 HY Hyundai 现代 M5M Mitsubishi 三菱 GM LG_Semicon 金星 MCM Motorola 摩托罗拉 MSM OKI 冲电子 MT Micron 迈克龙 MB Fujitsu 富士通 TMS TI 德州仪器 AAA NMB 1 uPD NEC 日电 2 3 4 Interleaving －交叉存取技术　加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。 IT (Information Technology)－信息技术　IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。 JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）　电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。 Kilobit －千位　约为一千位，准确数值是 210 (1,024) 位。 Kilobyte－千字节　约为一千字节，准确数值是 210 (1,024) 字节。

2011-2-26 15:43:16 评论举报 1^# 陈瑞华

0 KingHorse－香港骏一电子公司　香港骏一电子集团有限公司始创于一九九四年一月，公司草创初期主要从事电脑机箱、电源、显示器、键盘、主机板等电脑配件在大陆的销售业务。经过几年的整合，香港骏一以Kinghorse为品牌，专业从事台式计算机、笔记本、服务器、工作站以及计算机外围设备特种内存产品的研发、生产、销售，在香港及大陆均设有OEM厂家，并致力于中国信息产业的发展而努力。 Kingmax－胜创公司　成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国*省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。除省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。 Kingston－金仕顿科技公司　金仕顿科技公司是一家设计和生产用于PC机、服务器、工作站、笔记本、路由器、打印机、和其他一些电子设备内存、处理器的公司。该公司于1987年由杜纪川和孙大卫先生创立，现在已经发展成产品超过2000种、年销售额超过16亿美圆的公司。 Latch－锁存（数据）　锁存器：电子学中的一种电路,可维持所承担的位置或状态,直到由外部手段将其复位到它前一种状态。SRAM就是用锁存器制作的。 L1 (Level 1 Cache) －一级高速缓存　也叫 primary cache，L1 Cache是在处理器上或离处理器最近的一小块高速存储器。 L1 Cache 为处理器提供最常用的数据和指令。 L2(Level 2 Cache)－二级高速缓存　也叫 secondary cache，L2 Cache 是离处理器较近（通常在主板上）的一小块高速存储器。L2 Cache为处理器提供最常用的数据和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升级。 LGS （Goldstar）－金星　主要内存生产厂家 Logic Board－主板　同 Motherboard。 Mask ROM 　生产固件时，先制造一颗含有原始数据的ROM作为模板，然后大批生产内容完全相同的ROM。这种方法大批量生产的ROM就叫做Mask ROM MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存　MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。 Megabit －兆位　约为一百万位，准确数值是1,0242 (1,048,576)位。 Megabyte－兆字节　约为一百万字节，准确数值是1,0242 (1,048,576)字节。 Memory －存储器，记忆体，内存　一般指电脑的RAM（random access memory）随机存储器，其主要用途是读取程序和临时保存数据；最为常见的内存芯片是DRAM。这一术语有时也用来指所有的用来存储数据的电子设备。 Memory Bank－存储体，〔记忆库〕　由一些地址相邻的存储单元组成的一种存储块，其大小由所在的计算机决定。比方说，32位的CPU必须使用一次能提供32位信息的memory bank。一个bank可能由一个或多个内存模组构成。 Memory Bus－内存总线　从CPU到内存扩展槽的数据总线。 Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心　Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。 Memory Translator Hub (MTH)－内存转译中心　一种内存接口，通过它可以使Intel 820芯片组的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM内存。 Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装　Tessera, Inc. 公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。 MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司 Motherboard－主板　也叫logic board、main board或 computer board，是计算机系统的主体部分。电脑的CPU、内存、输入输出接口和扩展槽等大部分硬件都安装在主板上面。 Ms (millisecond) －毫秒　千分之一秒。 Multi-Way Interleaved 　多重交错式内存存取结构，巫毒卡2代所采取的一种技术。 Nanosecond (ns)－纳秒,〔末秒,毫微秒〕　十亿分之一（10-9）秒。内存的数据存取时间以纳秒为单位。 Nibble －半字节, 四位字节 Non-Composite 　苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。 Odd Parity－奇校验　校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。 Page mode－页面模式　现在该技术已经被淘汰。在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。（参考FPM） Parity：（Even / Odd）－奇偶校验　也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（DataBit）对数据进行检查的一种冗余校验法。它是根据二进制字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数来进行校验的。在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数。经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。　奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error CorrectingCode错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。取而代之的是ECC。 PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存　属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。 PC100 　JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒（或内存条）技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。　当初，PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则，其规范条款很多，但主要有以下几点：　1、TCK（CLOCK、CYCLE、TIME）内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns; 　2、TAC（ACCESS TIME FRONCLK）存取时间小于6ns；　3、PCB必须为六层板，可以滤掉杂波；　4、内存上必须有SPD，SPD一般由内存模组制造商写入，设定内存工作参数。 PC133 　IBM和Reliance电子公司制定的一种内存芯片（或内存条）技术标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。　严格地说，PC133和PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。 PCB (Printed Circuit Board) 　印刷电路板电子板卡的基础，由若干层导体和绝缘体组成的平板。电路图纸上的线路都蚀刻在其上，然后焊接上电子元件。主板、内存等电脑配件都是PCB焊接出来的。 PC Card－PC卡　一种形如信用卡的计算机设备，符合PCMCIA总线标准。通常用来作为计算机的辅助存储器（ROM或RAM）、调制解调器、传真机调制解调器，以及便携式电脑上的存储器。 PCMCIA（Personal Computer Memory Card International Association）　个人计算机存储卡国际协会。一般用来指一种标准的卡式扩充接口，多用于笔记本电脑或激光打印机等设备上。分以下几种: 　TypeI：厚度为3.3mm，一般有SRAM、Flash、RAM存储卡；　TypeII：厚度为5.5mm，通常设计为调制解调器接口；　TypeIII：厚度为10.5mm，通常作为连接电子硬盘的ATX接口。　另外还有衍生出来另外一种小型的PCMCIA flash card，一般用于数码相机、掌上电脑、路由器等设备上。 PCI (Peripheral Component Interconnect) －外设扩展接口　PCI是在VESA（Video Electronics StandardsAssociation,视频电子标准协会）基础上发展起来的总线技术，是现在电脑最主要的设备接口。该总线一次能同时发送32或64位数据，并有即插即用功能。目前最常用的是PCI 2.1标准。 Pin－针状引脚，线　内存金手指上的金属接触点。 Pipeline Burst Cache－管道突发式高速缓存　这种Cache采用管道技术和突发模式，从而降低了等待时间、加快了内存存取速度。 Pipelining－管道技术，流水线技术　把内存里待读取的数据载入到一小块由SRAM 构成的高速缓存中，然后立即从内存中读取下一批数据的一种内存技术。这样一来，内存读写分做两个阶段（流水线），一个是在SRAM读写的阶段，一个是向内存读写的阶段。 PLB （Pipeline Burst Cache）－脉冲突发式缓存　PLB能使第一个脉冲到达处理器之前，四个数据一个接一个的连续传输中有顺序地读写。PLB常用于SRAM，制造计算机的一级和二级缓存。它分为同步与异步两种工作方式。 PROM （Programmable Read-Only Memory）－可编程只读存储器　也叫One-Time Programmable (OTP)ROM，是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次，如果数据烧入错误只能报废，所以说是"一次性"的。 Proprietary Memory－用户订制的内存　为一些客户的特殊电脑量身定做的特制内存。 RAM (Random-Access Memory)－随机存取存储器　一种存储单元结构，用于保存CPU处理的数据信息。"随机"（Random）存取是与"顺序（serial）"存取相对而言的，意思是CPU可以从RAM中任意地址中直接读取所需的数据，而不必从头至尾一一查找。 Rambus （同RDRAM）　由Rambus公司（现在已经被Intel公司收购）开发的一种内存，其速度约为一般DRAM的10倍左右，堪称内存发展史上的一个里程碑。但是要想支持它，内存控制器需要做相当大的改动，所以目前只应用于游戏机、专业图形加速卡和少量高档PC机上。但将来Rambus有可能取代SDRAM，成为内存的主流。 Rambus Channel 　Rambus系统的数据通道。数据宽度很窄（只有2字节），但时钟频率高达800MHz。 RAS （Row Address Strobe）－行地址选通脉冲　在DRAM数据位中，用列地址和行地址的交叉点定位每个单元的存储地址。行地址的选通由RAS控制。 RDRAM（Rambus DRAM）－总线式动态随机存储器　是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的一项专利技术，它的数据传输率最高可达800MHZ，而它的总线宽度却远远小于现在的SDRAM。 Refresh－刷新　内存条是由电子存储单元组成的，刷新过程对以列方式排列在芯片上的存储单元进行充电。刷新率是指被刷新的列的数目。两个常用的刷新率是2K和4K。2K模式能够在一定的时间内刷新较多的存储单元并且所用时间较短，因此2K所用的电量要大于4K。4K模式利用较慢的时间刷新较少的存储单元，然而它使用的电量较少。一些特殊设计的SDRAM具有自动刷新功能，它可自动刷新而不借助CPU或外部刷新电路。建立在DRAM内部的自动刷新，减少了电量消耗，被普遍应用于笔记本电脑。 Refresh Rate－刷新率　DRAM结构中必须刷新的行数。最常见的三种刷新率是2K， 4K和 8K。 Registered Memory－带寄存器的内存　带有寄存器（register）SDRAM内存条。寄存器可以的作用是：再次推动数据信号通过内存芯片，使内存条上能够焊接更多的芯片。带寄存器（Registered）的内存和不带缓存（unbuffered）的内存不能混用。能否使用带寄存器的内存是由电脑的内存控制器决定的。 Remark－再标记，打磨芯片改写　一些不法商家造假电脑配件的惯用伎俩。所谓的Remark内存，就是将内存芯片表面的标记篡改，以次充好坑骗消费者。之所以内存芯片上有两个小圆圈形凹陷，就是为了防止别人打磨芯片的字迹造假。 RIMM 　Direct Rambus 内存条的注册商标。RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，但引脚数一般为184只，一次能传输16位数据。 RIMM Connector 　Direct Rambus内存的插槽。 ROM （Read Only Memory）－只读存储器　掉电后数据不丢失的一种存储器，主要用来存放"固件"（Firmware）。主板、显卡、网卡上的BIOS就是一种ROM，因为他们程序和数据的变动概率都很低。 SDRAM（Synchronous DRAM）－同步动态存储器　　动态随机存储器的一种，工作在CPU外部总线的频率上，与CPU的时钟同步。由于SDRAM可以与CPU列频同步工作，所以无等待周期，减少数据传输延迟。FPM DRAM每隔3个时钟周期开始传输，EDO DRAM每隔2个时钟周期开始传输。 SEC （Sam Sung）－韩国三星电子公司　内存芯片的主要供应商。 Self-Refresh－自动刷新　一种使DRAM能够不依赖CPU和外部刷新电路的帮助，以非常低的刷新电流自动刷新的技术。自动刷新技术内建在芯片之中，大大降低了耗电量。笔记本电脑和膝上型电脑都采用了这项技术。 SPD（Serial Presence Detect）－串行存在侦测　存储着内存条的容量、速度、厂家信息和其它一些技术规格的一小块 EEPROM 芯片。 SGRAM (Synchronous Graphics Random-Access Memory)－同步图形随机存储器　一种图形读写能力较强的显存，由SDRAM改良而成。SGRAM读写数据时不是一一读取，而是以"块"（Block）为单位，从而减少了内存整体读写的次数，提高了图形控制器的效率。现在的AGP显卡大多采用SGRAM显存，也有某些PCI显卡采用SGRAM。 Shadow RAM－影子内存　位于640K~1M之间的UMA（上端内存）的一部分，是一块被写保护的内存区域，用于存放BIOS的备份。当开机时，计算机把BIOS的信息拷贝到影子内存里，一直保存到关机为止。由于RAM的速度比ROM稍快，所以影子内存提高了系统性能。 SIMM（Single-In line Memory Module）－即单边接触内存模组　这是电脑的内存接口方式。形象的说：内存条正反两面金手指是导通的，如常见的有30线、72线内存条。 Single-Banked－单一内存库　只有一个bank / row（行）的内存条。 SLDRAM （Sync Link DRAM）－同步链接动态内存　它可以在较少的金属引脚（64线）、较低的电压下，提供比SDRAM更高的数据宽度。它可以提供多个独立的内存库(BANK) ，以小规模的管道式突发读取，所以速度很快，多用于高速显卡中。　该技术采用了数据包协议，把SDRAM原来的4个bank增加到16个bank。这种技术曾经是替代Direct Rambus的一种突破，但今天已经被DDR II技术所淘汰。 Slot－插槽　即用来插内存条的扩展槽。 SMART CARD－智能卡　一种形如信用卡的电子设备，主要用来存储重要数据和程序。智能卡的安全性较好，所以一般用来做身份识别、公用电话、银行系统等领域。 Socket－插座　早期的DIP内存是将一个一个的内存芯片插在主板的"内存插座"上。 SO DIMM (Small-Outline Dual In-line Memory Module)－小型双边接触内存模组　一种改良型的DIMM内存条。顾名思义，它的外型比一般DIMM小，只有一般72线DIMM内存条的一半大小。此内存较为少见，多用于笔记本电脑、打印机、传真机，以及各种智能终端。 Soft errors－软故障　DRAM中，由于辐射和噪声导致的错误。软故障，顾名思义，不会造成永久性损坏。软故障只会把1误当作0，但绝不会把0误当作1。开发ECC技术就是为了防止这种现象。 SOIC （Small Outline IC）－小输出线集成电路封装　这是第一个替代DIP的表面装配式封装技术，针脚间距1.27毫米，主要用于内存芯片。没有出现多久就被更高密度的封装技术（SSOP、TSOP、TSSOP）取代。 SOJ(Small Out-Line J-Lead)－小输出线J形引脚封装　SOJ曾是一种非常流行的DRAM封装形式，它采用J形的管脚排列在芯片的两边。它是一种表面装配的打孔封装技术，针脚的形状就像字母"J"，由此而得名。 SO-RIMM 　笔记本电脑Direct Rambus 内存条的注册商标。SO-RIMM的内存带宽和台式机的内存不相上下。 SPD(Serial Presence Detect)－串行存在侦测　SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电子可擦写程序式只读内存）,容量为256字节~2KB，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度、是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。 SRAM （Static DRAM）－静态内存　静态内存虽不需刷新，但在断电后将会丢失数据。静态内存的数据传输速率从10纳秒到30纳秒不等。动态内存要比它慢30纳秒，同时、双向式内存与ECL内存要大于10纳秒。因此，静态内存通常被用于高速缓冲存储器。动态内存由扭结状的晶体管电路组成，电流流入晶体管的一端还是另一端由正在工作的晶体管所决定。 SSRAM （Synchronous interface SRAM）－同步接口静态随机存储器 Static RAM－静态内存　同SRAM Static column－静态列　DRAM加快数据输出的一种模式。当访问静态列（static-column）的数据时，DRAM不断地激活列输出缓冲区，以此来加速输出。但其缺点是当地址不连续时就会很慢，而且耗电量也比 FPM模式要高。 Storage－存储设备，数据存储　主要是指存储数据的设备，例如硬盘和光驱等。 Swapping－数据交换，交换技术　当物理内存已满时，操作系统就会划出一部分硬盘空间来代替内存。具体参见Virtual Memory。 System Board－系统板　参阅 Motherboard（主板）。 Synchronous－同步　指内存系统和我们的CPU 、主板使用相同的工作时钟。比方说CPU的外频是100MHz，与此相匹配的内存就是PC-100内存。如此一来，减少了时间延迟、提高了内存效率，电脑不稳定的可能大大降低了。 SyncLink－同步链接　该技术现在已经被淘汰。具体参阅SLDRAM。 Sync SRAM－同步静态随机存储器　其工作时钟与系统同步，Intel推出的430LX，430NX，430FX等支持奔腾的主板芯片组都支持它。但CPU速度大大提升后，该高速缓存被PB-SRAM取代。 TAC (Access Time from CLK) 　时钟访问时间 Tag RAM 　在主板的Cache附近的一个用来存储高速缓存数据索引地址（Index Address）的RAM，其主要功能是辅助Cache、CPU、芯片组的沟通与存取寻址数据。 tCC （Clock Cycle time）　时钟周期时间。例如PC100 SDRAM的tCC是10纳秒。 tCK (System Clock Cycle Time) 　也叫tCLK，一般我们说的内存速度就是指tCLK。 Throughput －吞吐率　表示通讯速度，即一个通信系统在最佳工作状态下单位时间内通过的数据量。 Timing －读写时序　内存在突发式（Burst）读取模式下一次可连续读取4组数据，其读取周期可以表示为X-Y-Y-Y。其中X表示读取第一组数据的时钟周期数，一般叫做Lead off time（通常时间比较长）；Y表示后三组数据的读写时间周期。 Tiny BGA－小型球栅阵列封装　Kingmax公司的一项专利技术，属于BGA内存封装技术的一个分支。其芯片面积与封装面积之比约为1：1.4。 TOSH (Toshiba)－日本东芝株式会社 TSOP（Thin Small Out-Line Package）－薄型小尺寸封装　TSOP也是DRAM的一种封装形式，但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。 TOSP II－薄型小尺寸封装II 　SDRAM内存最为常见的封装形式。但是，随着内存的速度和频率的不断提高，这种封装形式越来越不能满足需要。 Transmission Line Technology 　支持Direct Rambus系统后端总线（backsidebus）的一种技术。信息以流水线（pipeline）的方式分成若干个数据（packet）包同时快速传递，然后内存控制器再把这些数据包重新组合起来交给前端总线（frontside bus），以实现和CPU的通讯。 tRAS （Row Active time）－行活动时间 tRC （Row Cycle time）－行周期时间 tRCD （Row to Column Delay）－行到列的时间延迟　也叫RAS to CAS Delay。 tREF （Refresh time）－刷新时间　每个 SDRAM 设备的刷新时间为32 ~ 64 ms（毫秒） TSOP（Thin Small Out-Line Package）－小输出线瘦形封装　TSOP也是DRAM的一种封装形式，但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。　TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。 UDMA （Ultra Direct Memory Access）－极端直接内存访问　硬盘技术的一种，它可以让硬盘直接与内存沟通而无须CPU过多的参与。分为UDMA-33（也叫Ultra ATA-33）和UDMA-66（也叫Ultra ATA-66）两种模式。 Unbuffered Memory－不带缓存的内存　PCB上不带缓存（buffer）或寄存器（register）的内存条。但是，使用这种内存的电脑主板上要带缓存或寄存器。 UV-EPROM （UV light erasable PROM）－可用紫外线擦除的PROM 　一种传统的 EPROM。 VL-Bus（VESA Local Bus)－视频电子标准协会局部总线　VESA（Video Electronics Standard Association）就是视频电子标准协会的意思，是一种行业标准。局部总线是一个物理路径，数据在上面可以以几乎相当于处理器的速度传输，因此大大提高了整体性能。　VESA局部总线是计算机和扩展槽之间的标准接口，为处理器和扩展卡之间提供了更高的数据传输速率。 VCM(Virtual Channel Memory)－虚拟信道内存　NEC公司开发的一种改良的DRAM内存，数据传输率为133MHz。其原理是在现在的DRAM IC 中加入一个虚拟的SRAM作为Cache，以此来维护数据存取的稳定性。　VCM 使内存的不同区块（每块都有自己的缓存）能够分别和控制器对话。如此一来，系统的任务可以分配到它们各自的虚拟信道里面。同时运行的多个任务互相之间不会争用缓存，所以系统的整体效率就提高了。 Virtual Memory－虚拟内存　相对于物理内存而言的一个术语。当物理内存（RAM）满了以后，电脑只好把部分数据"交换"（swap）到硬盘上。具体参阅 Swapping。 VRAM (Video Random-Access Memory)－显存　VRAM内存是指所有用来存储视频信息的随机存储器。它分为同步和异步两类：SDRAM、SGRAM、MDRAM和RDRAM都是同步的，而DRAM、EDO DRAM、Video RAM、WRAM是异步的。其中，Video RAM是最常见的显存，采用FPM读取方式。它有双重端口，在它刷新屏幕上信息的同时允许处理器写入数据，而传统的内存只有一个数据端口。 Wait State－等待状态　处理器在没有任务时的静止状态。产生Wait state的原因是处理器和内存的时钟速度不同，后者（内存）的速度通常比前者慢得多。 Winbond －华邦电子公司　该公司位于**新竹，主要产品有：数位化消费性IC、多媒体IC、通讯IC、非挥发性内存IC、计算机逻辑IC、SRAM、DRAM产品家族系列。 Window Random Access Memory (WRAM) 　Window内存与微软的Windows操作系统无关。它是三星电子公司开发的一种改良版本的双通道VRAM显存，其带宽比普通VRAM高25%。其特点是可以使用很高的分辨率（1600x1200像素）。Matrox公司生产的MGA Millennium显卡采用的就是WRAM显存。 ZIP(Zig-zag In-Line Package )－单列直插式封装

2011-2-26 15:43:53 评论举报 2^# 陈瑞华