Flash的硬件实现机制

2018-6-12 09:52:07 1946

0 本帖最后由一只耳朵怪于 2018-6-12 11:55 编辑 Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。 Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。 [url=][img=1,0][/img][/url] 图1.典型的Flash内存单元的物理结构数据在Flash内存单元中是的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门（external gate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。 0 TTT.png (30.49 KB, 下载次数: 6)
2018-6-12 09:52:07　　评论淘帖0 举报相关推荐 • Flash的硬件实现机制 1747 • Nand Flash结构及错误机制 0 • Nand Flash结构及错误机制 4 • 浅谈硬件安全机制 1061 • 简述Nand Flash结构及错误机制 3849 • metaclass的实现机制 444 • Tickless机制与具体实现 1060 • Flash存储芯片的硬件设计 9331 • Nand Flash基础知识与坏块管理机制的介绍 3638 • VISA事件机制的分析设计与实现 22