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最近我需要设计一条电压反馈检测线路，之前使用的是两个MOS（NPN+PNP）这两种组合控制开关检测的电压导通（参考图一）。今天我再重新使用时，突然觉得能否简化一下，即只用一个MOS（NPN）来控制开关呢（参考图二）？
麻烦各位大神有空的话能帮忙解惑。 
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16个回答
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2018-4-17 16:48:40
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好的，感谢。我感觉双mos是不是为了保险才这么搞得。 
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2018-4-17 17:14:47
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首先你要理解下为什么要用双MOS，一般都是因为直接单片机IC的电平值问题，比如这个假设你电池电压12V，那你单片机不论输出高电平还是低电平，Pmos都是导通的
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aylboy0001 发表于 2018-4-18 08:59 哦，是的，感谢大神，顿时悟了。 |
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2018-4-18 18:03:25
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三楼大神，学习了
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aylboy0001 发表于 2018-4-18 08:59 3400导通时3401G级不是高电平吗？怎么可能导通 |
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说错了 3400截止时 3401G级不是高电平吗？不是截止吗
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PMOS的饱和压降更低。。。
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2018-4-29 22:14:12
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aylboy0001 发表于 2018-4-18 08:59 大神你好，我现在单用NMOS(第二幅图)，电池电压绝对不超过6V，G端口控制0V截至不导通，G端口输出3.3V导通，这样的环境下，这样是否也可行呢？ |
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2018-5-17 10:46:58
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aylboy0001 发表于 2018-4-18 08:59 大神你好，我现在单用NMOS(第二幅图)，电池电压绝对不超过6V，G端口控制0V截至不导通，G端口输出3.3V导通，这样的环境下，这样是否也可行呢？ |
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2018-5-17 10:47:15
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本帖最后由 aylboy0001 于 2018-5-17 13:50 编辑
工程师包子 发表于 2018-5-17 10:47 我觉得不行，分析如下：MOS管要导通是有条件的，即VGS>VTh，按照阀值电压VTH是1.2V估算吧，则VS的电压值在高电平时候不能超过2.1V，这样才满足导通条件，即需要MOS管提供一个差不多2倍（R7|+R9）的电阻才能满足，这个是MOS管工作在线性区，电压的波动都会导致你阻值的大范围变化，假设你电平很稳定，你导通了，好吧这时候你的VS电压假设就2.1V吧，那你的BV电压只有不到1V，满足不了你测试电压值的需求的 |
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aylboy0001 发表于 2018-5-17 13:48 明白了，我把这个MOS和开关三极管弄混了。。。感谢前辈帮忙答疑解惑。
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2018-5-17 14:37:17
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aylboy0001 发表于 2018-5-17 13:48 "则VS的电压值在高电平时候不能超过2.1V，这样才满足导通条件，即需要MOS管提供一个差不多2倍（R7|+R9）的电阻才能满足，，这个是MOS管工作在线性区，电压的波动都会导致你阻值的大范围变化，" ， 哥 ，这个没看懂，详细点啊；另外， 你的VS是啥意思呢？请指导，谢谢！ |
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2018-5-17 18:05:37
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xiaxingxing 发表于 2018-5-17 18:05 额，VS就是MOS管的S极电压，VG就是G极电压，MOS管的导通条件是VG-VS=VGS>VTH,你的VG高电平是3.3V，那么要导通的话 VS<2.1V才能满足VGS>VTH的条件。假设VS是2V吧，此时MOS管的跨导Gm和R7+R9组成分压网络，如果检测电压6V，那1/Gm的阻值就是2（R7+R9），只有MOS管工作在线性区才能达成这个电阻条件（在截止区的话电阻一般Mohm基本，在饱和区一般mohm级别），但是这个区域的话，阻值是受输入电压支配的，输入电压的波动也会导致这个阻值的波动，基本就这个意思吧，打字好累。。。 |
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1 条评论
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不行 导通后源级电压为6V 栅极电压才3.3 不能持续导通
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不明白，你的图二，R7电阻调到30kΩ，使得bv电压低于1V，可以适当减小这个电阻，以抬高bv电位
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