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【不懂就问】
之前问过,但是没有完全懂 如图,是一款IGBT模块驱动芯片 其中在去饱和保护设计时,有这么一段说明 “在开关感性负载时,会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化 这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰,会从器件中消耗大量电流 为了将这些电流限制,可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联 ,再选用一个肖特基二极管MM3z12vb,效果更好,这种二极管正向电压很低 可以确保在低电平下,把DESAT输入钳位到GND” 【1】最后一句中的,低电平下,是指输入in低电平吗?那如何利用低正向导通钳位到地? 【2】把DESAT输入钳位到GND,是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉?是和下图吸收电路原理一样吗?
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