[问答]

ISO5852去饱和外围问题

3678 外围

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 【不懂就问】之前问过，但是没有完全懂如图，是一款IGBT模块驱动芯片其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明 “在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好，这种二极管正向电压很低可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND” 【1】最后一句中的，低电平下，是指输入in低电平吗？那如何利用低正向导通钳位到地？【2】把DESAT输入钳位到GND，是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉？是和下图吸收电路原理一样吗？ 0 IMG_20171225_093004.jpg (83.42 KB, 下载次数: 11) IMG_20171225_082931_1.jpg (379.37 KB, 下载次数: 8) 已退回9积分
2017-12-25 10:26:29　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 张程明该类别下有 100 个回答。邀请回答 jf_50240986 该类别下有 84 个回答。邀请回答 shaorc 该类别下有 73 个回答。邀请回答 Music 该类别下有 72 个回答。邀请回答 leetow2006 该类别下有 64 个回答。邀请回答王尚岱该类别下有 43 个回答。邀请回答 CCCLLL 该类别下有 41 个回答。邀请回答 mintsy 该类别下有 39 个回答。邀请回答梅利号该类别下有 38 个回答。邀请回答 wp2010abc 该类别下有 36 个回答。邀请回答熊本熊该类别下有 33 个回答。邀请回答河神大人该类别下有 33 个回答。邀请回答硬件工程师1 该类别下有 32 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答哔哔哔- 该类别下有 32 个回答。邀请回答奇牙虎威该类别下有 31 个回答。邀请回答 Duke 该类别下有 28 个回答。邀请回答 chunhuahua 该类别下有 27 个回答。邀请回答 siyugege 该类别下有 27 个回答。邀请回答谢新貌该类别下有 27 个回答。邀请回答阿城138 该类别下有 26 个回答。邀请回答举报 shaorc 相关推荐 • ACPL-339J智能门驱动器的UVLO及去饱和监测功能 2714 • 三极管驱动蜂鸣器，为什么三极管不在饱和状态？ 10575 • 怎样去设计基于stm32f103zet6芯片开发板的LED外围电路 1515 • ISO14443A 3425 • 什么叫三极管的饱和，到底什么是饱和压降？ 5589 • 汽车抛负载测试ISO7637 -5A 和ISO16750的不同之处在哪？ 2116 • 基极电流IBS式子中为什么饱和导通压降和饱和导通内阻都有？ 14823 • “电感饱和”究竟是怎么回事？ 1300 • 饱和导通是什么意思 13751 • 怎样去解决高频变压器的磁饱和特性带来的危害 4263