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`【不懂就问】 如图,上面是看到ti设计资料里的一部分,是一款IGBT驱动芯片 其中在去饱和保护设计时,有这么一段说明 “在开关感性负载时,会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化 这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰,会从器件中消耗大量电流 为了将这些电流限制,可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联 ,再选用一个肖特基二极管MM3z12vb,效果更好 可以确保在低电平下,把DESAT输入钳位到GND” 【1】所说的肖特基二极管D2和R1连用,限制尖峰引起的电流,是什么工作原理? 【2】下图全桥中,当要导通上管时,u点相当于是地,但是下管不同,u点是悬浮的,如何确定? ` |
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1个回答
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感觉这种电路楼主最好学习一下变频器的知识
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