600V75AIGBT模块VS-GB75LA60UF现货参数及替换

2017-11-28 14:53:15 2255

0 ` IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。 600V75AIGBT模块VS-GB75LA60UF现货参数晶体管配置单配置单最大连续集电极电流 70 A 最大集电极-发射极电压 600 V 最大栅极发射极电压 ±20V 通道类型 N 安装类型螺丝安装封装类型 SOT-227 引脚数目 4 开关速度 150kHz 最大功率耗散 447 W 尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm 高度 12.3mm 长度 38.3mm 最高工作温度 +87 ℃ 最低工作温度 -70℃ 宽度 25.7mm 海飞乐技术肖特基模块可完全替换该产品 IGBT经常出现在大功率电子电路产品当中，在很多时候，其好坏直接关系到电路的性能。本文将为大家介绍作为一个新手，在IGBT学习过程中必须掌握的IGBT晶体管基础知识。感兴趣的朋友快来看一看吧。 1. 什么是工作电压? IGBT的关断电压最高应不超过VCES的80%。 2. 这是硬或软开关?PT器件更适合于软开关，因其可以减少尾电流，但是，NPT器件将一直工作。 3.流过IGBT的电流都有什么?首先用简短的语言对用到的电流做一个大致的介绍。对于硬开关应用，频率—电流图很有用，可帮助确定器件是否适合应用。在应用时需要考虑到数据表由于测试条件不同而存在的差异，如何做到这一点稍后将有一个例子。对于软开关应用，可从IC2开始着手。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2017-11-28 14:53:15　　评论淘帖0 举报相关推荐 • GAIA电源模块MGDSx-75系列参数概述 1235 • QD75MH4程序例子 QD75MH参数地址控制地址手册 1270 • LM75模块的设计资料分享 712 • 75N75 pdf 86 • 将50Ω的S参数转换成75Ω的S参数 4077 • 请问怎么用75nf75控制电磁阀 2353 • MELSEC L LD75P/LD75D型定位模块用户手册 0 • buf634的输出电流最大只有75ma，从-75ma到75ma吗？ 146 • 三菱QD75模块 1331 • 将50Ω的S参数转换成75Ω的S参数 2124