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`静电感应晶体管 SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时,沟道区已全部耗尽,呈夹断状态,靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒,由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后,势垒下降,源漏电流I开始流动。漏压越高,I越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是:①SIT沟道区掺杂浓度低,为1012~1015厘米-3,FET则为1015~1017厘米-3;②SIT具有短沟道,在输出特性上,前者为非饱和型三极管特性,后者为饱和型五极管特性。 静电感应晶体管 SIT主要有三种结构形式:埋栅结构、表面电极结构和介质覆盖栅结构。埋栅结构是典型结构(图2),适用于低频大功率器件;表面电极结构适用于高频和微波功率SIT;介质覆盖栅结构是中国研制成功的,这种结构既适用于低频大功率器件,也适用于高频和微波功率器件,其特点是工艺难度小、成品率高、成本低、适于大量生产。中国已研制出具有这种结构的 SIT器件有:400兆赫,1~40瓦;1000兆赫,1~12瓦及1500兆赫,6瓦的SIT器件。另外,还制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪声系数小于3分贝的功率低噪声SIT。 来源: 生产测试 ` |
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