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29个回答
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张全武5 发表于 2017-1-23 13:50 你的理解有欠缺。 R3阻值的大小,直接影响寄生电容的放电速度。减小R3,Q1的漏极电位才能较快提升,上升沿才变得较陡峭,起到了减小寄生电容的影响的作用。这是你已经认同的视觉效果,这也是我前面帖子里所说的第二种波形好转。 在R3阻值不变的条件下,信号频率高一些、低一些,只要信号下降沿时间(陡峭程度)不变,对于同样不变的极间电容而言,Q1漏极电位上升速度(或时间)是一样的,没有什么变化。这就是你【在示波器水平扫描速度不变的状态下】所看到的真实情况。 但是你没有注意到的是,【这个没有变化的Q1漏极电位上升的时间,在整个信号周期中所占百分比的变化】。显然,信号频率越低的,占比越小,越可被忽略不计。这就是我前面帖子里所说的第一种波形好转。 况且,你从23kHz仅仅降低到11.7kHz,变化幅度也太小了。我说的是大幅度降低,既然是发光管调光,降到1kHz以下,几百Hz足够了。 适当调节示波器水平扫描速度,再看那电位上升的时间,就再也没有计较它的心思了。 码字太累,到此为止吧。
最佳答案
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你在看一看驱动电路,感觉你的驱动电路不行,图腾柱看一看
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你图上的这种PMOS,与一般的这种有什么区别呢?栅极多出来一部分
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图腾柱看一看???什么意思,驱动就是单片机产生的方波来驱动的 |
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你的步骤2证明了问题出在Q2。
从步骤1可见,貌似Q2的栅源之间有一容量很大的电容,放电时间太长,甚至会扩展输出脉冲宽度,影响调光。 通常PMOSFET的栅源极间电容也不会有如此之大的呀! 果断换一个Q2试试。 补充内容 (2017-1-22 10:01): 初看起来,貌似问题在Q2。 仔细再看,另有原因。 以上回复作废。 |
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JQ_Lin 发表于 2017-1-20 15:11 我刚查了一下这个PMOS的数据手册,图号是这样的: 这与普通的mos管相比好像栅极多了一部分?你知道区别吗
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不好意思哦,,,刚刚看数据手册发现,,我用的Q2 PMOS就是如下所示的!这两者有什么区别呢
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我没有看到STS3415的数据手册,只查到STS3414。 估计这对顶的二极管是用于限制保护栅极的。一个正向导通,另一个反向击穿(稳压),限制栅源极间电压不超过额定值。 |
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本帖最后由 waynekuo 于 2017-1-20 17:14 编辑
這種MOS我也沒玩過ˋ 感覺是用在電池相關應用 (我只是猜測 MOS開關因為VGS有畫個電容 所以導通會比較慢) 如果你真想知道有什麼差別就要拿別顆MOS試試 如要試建議你VBAT先用POWER SUPPLY供應 還有那個VGS有個正反向的二極體感覺也怪怪的 零件在你手上 也只有你才能試阿 不然就看有沒有高手用過囉 |
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图中没看清PWM周期是多少,MOS管开、关在高频切换时必须考虑自身的电容,把R3改成1K时,输出波形应该好些,最好把Q2驱动改成对管驱动(图腾柱),即NPN和PNP两三极管配合控制Q2门极电压,用MOS组合也可以,目的是瞬时抬高或拉低电压,还有驱动电压高低得根据说明文档达到最优,一般大功率管驱动饱和电压≥12V,还有省事办法使用专用MOS驱动芯片,价格稍高
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这种结构应当不是导致波形问题的原因。 果断更换同类型 PMOS 和不同类型的 PMOS,对比出原来的Q2是否有问题,早得结论。 补充内容 (2017-1-22 10:02): 初看起来,貌似问题在Q2。 仔细再看,另有原因。 以上回复作废。 |
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2017.01.21
有了! 再次地反复地查看了楼主的图片,发现所用PWM的频率高达 23.3kHz,就是它将Q2栅源寄生电容的影响突出地显现出来了。 解决办法: 1. 简单的LED调光,人眼又有感光惰性,实在没有必要用那么高的频率,把PWM的频率大幅降下来,波形立即好转。 2. 把那个电阻R3(10k)的阻值降下来,例如1k,波形立即好转。 3. 在必须用到较高频率的情况下,就得选择频率高(极间电容更小)的管子。 |
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我也遇到过这样的问题,只不过我的是并没有第二个mos管,现在还没找到原因,长知识了
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这种情况是属于正常的,因为Q2的极间电容的影响才会出现斜坡,还有就是脉冲的频率与宽度,如果宽度大,斜坡不影响正常输出,就可以用,如果不行,建议缩小频率或Q1的负载电阻,或者改变电路类型,直到满意(有斜坡但不影响输出)为止
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没注意问题需要审核,回复了几次,以为手机有问题,不好意思
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JQ_Lin 发表于 2017-1-21 21:06 回复的比较晚,不好意思哈! 快过年了嘛,呵呵。。。。。 首先感谢你具体的回答,我进行了如下的测试 PWM的波形我以前是11kHz,因为有时会有噪音问题,所以提高到了23K,下面来具体看一下我测得波形吧, 1、只更改PWM频率为11.7kHz
2、更换R3=1k(Q2未拆下),此时波形与步骤1分析的波形有了很大改善。
3、更改R3=1k(Q2未拆下),PWM波形频率变为11.7KHz,此波形与23khz的相比,无明显变化。
总结一下:Q1的负载电阻比较重要,PWM频率可能10KHz还是有点高! 有一点我还是不怎么明白,Q2栅源寄生电容是每个MOS管都会有的一个特性吗?以前从未注意过这个参数,在数据手册中的什么地方体现出来的呢? 上传了Q2数据手册中的一部分参数。。。。栅源寄生电容指的是不是输入电容?以前出现这种波形时,我还以为是开关特性的延迟导通和关断的时间影响,你怎么看的呢! |
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JQ_Lin 发表于 2017-1-21 21:06 不好意思,刚才忘记截图Q2数据手册中的参数了,,
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