Ni/Au、Pd/Au与p-AlGaN材料的接触特性

2010-4-24 09:02:46 1802

0 【来源】：《功能材料与器件学报》2010年01期【摘要】：在AlGaNpin型日盲紫外探测器结构中的p-AlGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600～850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质。实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能。为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化。实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析。【关键词】：p-AlGaN;;高Al组分;;欧姆接触【DOI】：CNKI:SUN:GNCQ.0.2010-01-017 【正文快照】：0引言AlxGa1-xN三元系合金,随着Al组分由0～1的变化其带隙在3.4～6.2eV之间连续变化,它具有高的热导率、适中的介电常数、强的化学稳定性等优点,在紫外探测器、紫外发光二极管、紫外激光器、高温高频大功率电子器件等领域具有广泛应用。在制备紫外探测器方面,AlxGa1-xN材料带隙全文下载 0
2010-4-24 09:02:46　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体封装基板的化学镀 Ni-P/Pd/Au 3545 • 如何通过ATMEGA328P AU(SMD)制作广告面板 0 • TDA1514AU 17 • AU6210K 199 • The Technology of Video and Au 18 • AU8515 pdf,datasheet 13 • 12AU7 pdf 72 • NXP enables future ADAS and au 17 • AU1200-2,45R and AU1200-2,45 R 17 • 山景AU6850C 51