衬底温度对CuCrO_2薄膜光电性能影响

2010-4-24 09:00:59 1539

0 【作者】：李杨超;张铭;赵学平;董国波;严辉; 【来源】：《纳米科技》2010年01期【摘要】：采用射频磁控溅射法制备了不同衬底温度的CuCrO2薄膜,通过X射线衍射、扫描电镜、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征了薄膜样品的结构与性能,结果表明,衬底温度对CuCrO2薄膜形貌结构、光学、电学性能影响较大。当衬底温度为750℃时,薄膜为结晶态。薄膜的可见光透过率随衬底温度提高有所增加。750℃时,CuCrO2薄膜直接带隙降低到3.02eV。电导率随衬底温度提高先增加后降低,500℃时,薄膜的电导率最高,达到27.1S.cm-1,电导率对数随温度倒数变化关系表明,CuCrO2薄膜在300K-220K温度区间内均符合半导体热激活导电规律。【关键词】：CuCrO薄膜;;不同沉积温度;;直接带隙;;激活能【DOI】：CNKI:SUN:NMKE.0.2010-01-012 【正文快照】：0引言宽带隙氧化物半导体在光电子器件中已经得到广泛应用,例如制作液晶显示器、紫外光探测器都要用到p型宽带隙氧化物半导体。目前这类氧化物研究主要包括P型ZnO[1]与P型铜铁矿结构氧化物[2]-[8]。在这类氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明导电性以外,最近又报道了它的高温热电特全文下载 0
2010-4-24 09:00:59　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 砷化硼异质结—潜在的光电薄膜和衬底材料 6795 • ITO薄膜的基本性能是什么？ 2322 • ITO薄膜光学性能受退火工艺温度的影响 1010 • 沉积温度和溅射功率对ITO薄膜性能的影响研究 910 • 基于PDMS衬底的高效顶发射930 nm薄膜VCSEL 831 • 晶能光电硅衬底UVA LED 产品性能处于行业先进水平 7613 • 关于线性薄膜温度传感器的性能分析和应用 2966 • 半导体衬底的光电效应研究 2023 • 基于铝箔衬底上氧化锌薄膜的柔性声学平台 825 • 简述LED衬底技术 4143