退火对Fe(200 nm)/Si系统中硅化物的形成和微结构的影响

2010-4-24 09:00:39 1587

0 【作者】：王衍;张晋敏;马道京;朱培强;陈站;谢泉; 【来源】：《纳米科技》2010年01期【摘要】：采用直流磁控溅射方法,在Si(100)衬底上沉积厚约200nm纯金属Fe膜,随后在真空退火炉中不同退火条件下对样品进行热处理,形成Fe-Si化合物薄膜,利用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对Fe-Si化合物进行表征分析,研究了退火条件对厚膜系统中Fe-Si化合物薄膜的形成、晶体结构和表面形貌的影响。【关键词】：磁控溅射;;厚膜系统;;真空退火;;Fe-Si化合物【DOI】：CNKI:SUN:NMKE.0.2010-01-011 【正文快照】：0引言铁-硅系统由地球上储量最为丰富的元素Fe和Si组成,且无毒无害,是所谓环境友好材料[1][2],而且该系统相结构十分丰富,因此引起广泛注意。按Fe-Si化合物的相图[3]-[5],它们至少有四种显著的化学计量组成:富金属相Fe3Si、中间相Fe5Si3、单硅化物FeSi和富硅相FeSi2。在二硅化全文下载 0
2010-4-24 09:00:39　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 生坯密度对烧结Nd-Fe-B磁体微结构与磁性能的影响 17 • POWER4微结构系统 16 • FE100/FE200变频器特性及结构 2 • 单晶中植入纳米晶微结构及光电性能研究 23 • 在数字框架中制造，建模和评估微结构材料 1634 • Si基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能 18 • 中图共聚焦显微镜在光学膜片表面微结构测量中的应用 0 • LED表面微结构技术的研究 8 • 了解宇宙中结构的形成和物质的数量 1689 • Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究 9