反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨

2010-4-22 11:44:30 2187

0 【作者】：赵洪超;朱小锋;杜川华; 【来源】：《信息与电子工程》2010年01期【摘要】：FPGA系统电路进行抗γ剂量率器件选择是非常困难的。针对FPGA器件抗γ剂量率性能优选,试验研究了3种反熔丝FPGA器件的γ剂量率辐照效应规律。全部样品均出现了低阈值γ剂量率扰动效应,但均未产生高γ剂量率闭锁效应。FPGA器件低阈值γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起了时序逻辑功能的失效,而其模块海间的反熔丝开关电阻却对产生闭锁效应的大的辐射浪涌电流提供了保护。实验结果表明,系统电路设计加固是其实现抗γ剂量率最有效的方法。【关键词】：反熔丝FPGA;;γ剂量率;;辐照试验;;抗辐射加固【DOI】：CNKI:SUN:XXYD.0.2010-01-021 【正文快照】：FPGA器件使用灵活,设计方便,在武器和空间电子系统中应用越来越广泛。对于具有抗辐射加固要求的电子学系统而言,采用具有良好抗辐射能力的电子元器件是最理想的方法[1]。因此,FPGA器件抗辐射性能倍受关注。不同工艺、结构的FPGA器件其抗辐射性能有一定差异[2]。因此,对器件抗辐游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复 0
2010-4-22 11:44:30　　评论淘帖0 举报相关推荐 • REF01S高剂量率辐射报告 3 • OP484S低剂量率辐射报告 3 • OP470S低剂量率辐射报告 1 • AD574S高剂量率辐射报告 1 • AD9042S高剂量率辐射报告 0 • AD524S高剂量率辐射报告 0 • AD844S高剂量率辐射报告 0 • AD8367S低剂量率辐射报告 1 • AD8138S低剂量率辐射报告 0 • OP227S高剂量率辐射报告 7 2 个讨论