【OK210试用体验】Nand驱动实现

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刘天 ( 楼主 ) 2015-7-26 11:33:25  只看该作者 3696 | 0 倒序浏览

Nand驱动实现

象棋小子    1048272975

Nand flash具有大容量、改写速度快、接口简单等优点，适用于大量数据的存储，为固态大容量存储提供了廉价有效的解决方案。各种电子产品中如手机存储器、sd卡、u盘等均采用Nand flash存储，笔者此处就Nand驱动实现作一个简单的介绍。

1.  Nand flash概述

东芝公司在1989年最先发表Nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。随着Nand技术的发展，根据Nand颗粒存储单元，可以分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi LevelCell)、TLC(Trinary Level Cell)。SLC为1bit/cell，即1个储存单元存放1bit数据，其特点是成本高、容量小、速度快、寿命长(约10万次擦写)。MLC为2bit/cell，即1个储存单元存放2bit数据，相比SLC来说，其价格一般，容量可以更大，速度一般、寿命一般(约1万次擦写)。TLC为3bit/cell，即1个储存单元存放3bit数据，因此相同容量下其成本最低，容量相比最大，但速度最慢，寿命也最短(约1000次擦写)。目前市面上基于Nand flash的存储器，如sd卡、u盘等大多为MLC型，但对于高容量Nand存储器，如64G以上sd卡等，很有可能为TLC型Nand flash。

2. Nand驱动实现

Nand flash由Block(块)构成，Block的基本单元为Page(页)，每个页又分为Data area(数据存储区域)以及Spare area(备用区域)。由于Nand flash在出厂以及在使用过程中会出现坏块，以及会出现位反转的问题，为了数据的可靠性，通常需要采用ecc(Error Correcting Code)算法，一般对于SLC Nand，采用1bit ecc即可，对于MLC Nand，需采用4bit以上ecc，而Spare area即用来保存坏块标记、ecc数据等额外信息。通常Nand flash的读取和编程以页为基础，而擦除却是基于块的。Nand flash编程只能把1编程成0，而不能把0编程成1，因此在页编程时，必须已先擦除。

OK210采用的Nand flash为Micron(美国镁光)的MT29F8G08ABABAWP，一页有(4096+224)Byte，一个Block有128页，容量大小为(1G+224M)Byte，是一款8位宽的SLC Nand flash。

Nand flash驱动一般应实现Nand初始化、页读、页编程、坏块标记、坏块检查、块擦除这几个接口实现。

2.1. Nand初始化

Nand初始化主要是对Nand引脚功能初始化、根据具体的Nand flash，设置最佳的Nand访问时序。

void Nand_Init(void)

{

    // 配置nand控制引脚

    MP01CON_REG =(MP01CON_REG & ~(0xf<<8)) | (0x3<<8); // NFCS0

    MP01PUD_REG&= ~(3<<4); // pull-up/down disable

    MP03CON_REG =0x22222222;

    MP03PUD_REG =0;

    // 配置MT29F8G08ABABAWP timing(HCLK@133M)

    // TACLS=2,(tALS或tCLS-tWP=0)(ALE或CLE有效后需保持才能发出写脉冲)

    //TWRPH0=3,tWP=15ns(最小写脉冲宽度)

    //TWRPH1=1,tALH或tCLH=5ns(写脉冲后ALE或CLE需保持有效时间)

    // 4096Bytes/page, 5 address cycle

    // Disable1-bit and 4-bit ECC

    NFCONF_REG =(2<<12)|(2<<8)|(1<<4)|(0<<3)|(0<<2)|(1<<1);

    // 上升沿检查nand准备好信号线

    NFCONT_REG =(1<<23)|(1<<22)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<2)|(1<<1)|(1<<0);

    Nand_Reset();

}

2.2. Nand页读

MT29F8G08ABABAWP一页分为4k的data area与224字节的spare area，data area用来存储正常数据，spare area用来存储附加数据(如ecc数据)。对于flash存储器，是会出现位反转或坏块的问题，写入flash的数据或从flash读出的数据可能是有错的，因此必须采用ecc算法，确保写入的数据与读出的数据是一致的。对于SLC Nand Flash，只需1位ecc即可，每512 byte产生4 byte的ecc数据，最多可纠错1位，spare area 0~1字节存放坏块标记，2~33字节存放该页ecc数据，34~37字节存放spare area产生的ecc数据，剩余spare area存放接口需要写入的其它spare area数据。

int32_t Nand_ReadWithOob(uint32_t page, uint8_t *data,uint32_t data_len, uint8_t *oob, uint32_t oob_len)

{

uint8_t ecc[32]; // 4 byte ecc/512 byte, total 32byte/4096

uint32_t i;

uint8_t *pecc;

uint8_t *pBuffer;

uint32_t MECC;

uint16_t Col;

uint8_t Status;

   

if (!data && (data_len!=0)) {

    return -1;

}

if (!oob && (oob_len!=0)) {

    return -1;

}

// 保留oob前面38字节作为坏块标记以及数据ecc

if ((data_len>4096) || (oob_len>224-38)) {      

    return -2;

}

// ecc data 32字节开始于spare区的第2个字节偏移处

Col = 4096 + 2;

NF_INIT_MECC();

NF_MECC_UNLOCK(); // 解锁main ECC

   

NF_CE_ENABLE();

NF_CLEAR_RB();

NF_CMD(NAND_CMD_READ0); // page read cycle 1

NF_ADDR(Col & 0xff); // column address

NF_ADDR(Col >> 8); // columu address

NF_ADDR(page & 0xff); // 传输3字节的页地址

NF_ADDR((page>>8) & 0xff);

NF_ADDR((page>>16) & 0xff);

NF_CMD(NAND_CMD_READSTART); // page read cycle 2   

   

NF_WAIT_READY(); // 等待页读完成   

for (i=0; i<32; i++) {

    ecc =NF_READ_BYTE();

}   

        

NF_MECC_LOCK();

MECC = NF_READ_BYTE();

MECC |= NF_READ_BYTE() << 8;

MECC |= NF_READ_BYTE() << 16;

MECC |= NF_READ_BYTE() << 24;   

   

for (i=0; i

    oob =NF_READ_BYTE();   

}

NFMECCDATA0_REG =((MECC<<8)&(0xff<<16)) | (MECC&0xff);

NFMECCDATA1_REG =((MECC>>8)&(0xff<<16)) | ((MECC>>16)&0xff);

   

NF_CE_DISABLE();

   

// Read ecc status

Status = NFESTAT0_REG;

if ((Status & 0x3) == 1) {

    // 1biterror, Correctable

    ecc[(Status>>7)&0x7ff]^= (1 << ((Status>>4) & 0x7));

} else if ((Status & 0x3) > 1) {

    Debug("ECCuncorrectable error detectedrn");

    NF_CE_DISABLE();            

    return -3;

}   

if (data_len == 0) {

    return 0;

}

   

NF_CE_ENABLE(); // 使能片选

NF_CLEAR_RB(); // 清数据传输标志   

   

NF_CMD(NAND_CMD_READ0); // page read cycle 1

NF_ADDR(0); // column address

NF_ADDR(0); // columu address

NF_ADDR(page & 0xff); // 写入3字节的页地址

NF_ADDR((page>>8) & 0xff);

NF_ADDR((page>>16) & 0xff);

NF_CMD(NAND_CMD_READSTART); // page read cycle 2

NF_WAIT_READY(); // 等待命令完成        

   

// read main area

pecc = ecc;

while (data_len) {

    pBuffer =data;

    NF_INIT_MECC();// main区ECC清空

    NF_MECC_UNLOCK();// main区ECC解锁，开始ECC计算

    for (i=0;i<512; i++) {

        *data++ =NF_READ_BYTE();

        data_len--;

        if (data_len == 0) {

            break;

        }

    }

    NF_MECC_LOCK(); // 锁定main ECC

    // SLC: Write ecc to compare

    MECC = (pecc[1] << 16) | (pecc[0] << 0);

    NFMECCDATA0_REG = MECC;

    MECC = (pecc[3] << 16) | (pecc[2] << 0);

    NFMECCDATA1_REG =MECC;

    pecc += 4;

    // Read eccstatus

    Status =NFESTAT0_REG;

    if ((Status& 0x3) == 1) {

    // 1biterror, Correctable

    pBuffer[(Status>>7)&0x7ff]^= (1 << ((Status>>4) & 0x7));

    } else if((Status & 0x3) > 1) {

        Debug("ECCuncorrectable error detectedrn");

        NF_CE_DISABLE();            

        return-4;

    }   

}

NF_CE_DISABLE();   

return 0;

}

2.3. Nand页编程

当要写数据到一个页时，要先确保这个块已经被擦除。数据写完后，为确保写入与读取的数据一致，应同时写入数据的ecc值到spare area约定好的位置。

int32_t Nand_WriteWithOob(uint32_t page, const uint8_t*data, uint32_t data_len, const uint8_t *oob, uint32_t oob_len)

{

uint8_t ecc[32]; // 4 byte ecc/512 byte, total 32byte/4096

uint32_t i;

uint8_t *pecc;

uint32_t MECC;  

uint32_t data_len_temp;

uint16_t Col;

uint8_t State;

   

if (!data && (data_len!=0)) {

    return -1;

}

if (!oob && (oob_len!=0)) {

    return -1;

}

// 保留oob前面38字节作为坏块标记以及数据ecc

if ((data_len>4096) || (oob_len>224-38)) {

    return -2;

}

NF_CE_ENABLE(); // 使能片选

NF_CLEAR_RB(); // 清数据传输标志

   

NF_CMD(NAND_CMD_SEQIN); // page program cycle 1

NF_ADDR(0); // column address

NF_ADDR(0); // columu address

NF_ADDR(page & 0xff); // 写入3字节页地址

NF_ADDR((page>>8) & 0xff);

NF_ADDR((page>>16) & 0xff);     

pecc = ecc;

data_len_temp = data_len;

// write main area

while (data_len_temp) {

    NF_INIT_MECC();// main区ECC清空

    NF_MECC_UNLOCK();// main区ECC解锁，开始ECC计算

    // Writebuffer to main area

    for (i=0;i<512; i++) {

        NF_WRITE_BYTE(*data++);

        data_len_temp--;

        if(data_len_temp == 0) {

            break;

        }

    }      

    NF_MECC_LOCK();// 锁定main ECC     

    MECC =NFMECC0_REG; // 4字节写main区数据的ECC

    *pecc++ =MECC & 0xff;

    *pecc++ =(MECC>>8) & 0xff;

    *pecc++ =(MECC>>16) & 0xff;

    *pecc++ =(MECC>>24) & 0xff;

}

if (data_len < 4096) {

    // 调整到oob区

    Col = 4096;

    NF_CMD(NAND_CMD_RNDIN);// 页内随机写命令

    NF_ADDR(Col& 0xff); // 2字节页内地址

    NF_ADDR((Col>>8)& 0xff);

}

// Reserved for bad block (2 byte)  

NF_WRITE_BYTE(0xff);

NF_WRITE_BYTE(0xff);

   

NF_INIT_MECC();

NF_MECC_UNLOCK(); // 解锁main ECC

// main ecc 32 byte, start spare area offset 2

for (i=0; i<32; i++) {

    NF_WRITE_BYTE(ecc);

}

NF_MECC_LOCK(); // 锁定main ECC

MECC = NFMECC0_REG; // 4字节写main区数据的ECC

NF_WRITE_BYTE(MECC & 0xff); // 继续写入MECC

NF_WRITE_BYTE((MECC>>8) & 0xff);

NF_WRITE_BYTE((MECC>>16) & 0xff);

NF_WRITE_BYTE((MECC>>24) & 0xff);

        

for (i=0; i

    NF_WRITE_BYTE(oob);

}

   

NF_CMD(NAND_CMD_PAGEPROG); // page program cycle 2

   

NF_WAIT_READY(); // 等待写完

NF_CMD(NAND_CMD_STATUS); // 读取nand状态

do {

    State = NF_READ_BYTE();

} while(!(State &(1<<6))); // 等待状态变成Ready

   

NF_CE_DISABLE();

   

// 是否写成功,第0位为0则pass,不然fail

if (State & (1<<0)){

    return -3; // 写不成功

}

return 0;   

}

2.4. Nand坏块检查

坏块标记约定用spare area第0~1字节来作标志，坏块这两字节标志为非0xff，好块为0xff。我们读取block中页0，spare  area第0~1字节的值即可判断这个block是否坏块。

int32_t Nand_IsBadBlock(uint32_t Block)

{

    uint8_toob[2];

    // 每个block第一页spare区0, 1字节非0xff标记为好坏

    Nand_Read(Block,0, 4096, 2, oob);

    if((oob[0]==0xff) && (oob[1]==0xff)) {

        return 0; // 好块

    }

    return 1; // 坏块

}

2.5. 坏块标记

如果页编程不成功或者擦除失败，检查出坏块，需要对相应的块在约定位置进行坏块标记，以免再对这个坏块进行读写。其代码实现如下：

int32_t Nand_MarkBadBlock(uint32_t Block)

{

    // 每个block第一页spare区第0, 1字节标记非0xff坏块

    uint8_t oob[2];

    oob[0] = 0;

    oob[1] = 0;

    returnNand_Write(Block, 0, 4096, 2, oob);

}

2.6. 块区擦除

数据写入块区前，对应的块应已擦除好。

int32_t Nand_EraseBlock(uint32_t Block)

{

uint8_t State;

NF_CE_ENABLE();

NF_CLEAR_RB();

NF_CMD(NAND_CMD_ERASE1); // erase block command cycle1

// write 3 cycle block address[BA7:BA17]

NF_ADDR((Block<<7) & 0xff); // [BA7]

NF_ADDR((Block>>1) & 0xff); // [BA15:BA8]

NF_ADDR((Block>>9) & 0xff); // [BA17:BA16]

NF_CMD(NAND_CMD_ERASE2); // erase block command cycle2

NF_WAIT_READY();

NF_CMD(NAND_CMD_STATUS);

do {

    State =NF_READ_BYTE();

} while(!(State & (1<<6))); // 等待状态变成Ready

   

NF_CE_DISABLE();

// 是否擦写成功,第0位为0则pass,不然fail

if (State & (1<<0)) {

    return -1; //擦除不成功

}   

return 0; // 成功擦除

}

3. Nand启动

对于OneNand/Nand启动设备，BL0除了检验BL1的检验和之外，还会采用8bit ecc检验BL1代码的正确性，BL1在烧录进Nand设备时，还应生成相应的8/16位ECC数据，写入到spare area的指定位置，不然ecc失败也将无法从Nand设备启动。Nand启动需要8bit ecc处理，8bit ecc参考Bootloader中相应的NandBoot.c这个Nand驱动。

                              

图3-1  Nand ECC检验

4. 附录

Nand.rar，1GB 1bit ecc Nand驱动实现。

Nand.rar (3.96 KB, 下载次数: 13)

2015-7-26 11:31 上传

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