【Z-turn Board试用体验】+DDR3测试/外设测试

blackroot · 2015-5-25 16:23:21

blackroot ( 楼主 ) 2015-5-25 16:23:21 只看该作者 9777 | 6 倒序浏览

本节是调试存储器测试和外设测试工程，整个测试过程在Vivado下进行，但是调试的过程和ISE的SDK差不多。。。。。成都今天下雨了，而且心情不是很好，拿着板子也没心情，今天就这样吧，希望你们好好玩玩板子。。。
在这几天断断续续的使用过程中，我发现了一点点问问，不知道是我自己的操作问题，还是真的有问题？
首先是，z-turn board识别Xilinx的仿真器相当慢，而且加入从电脑上拔掉仿真器，在重新插上仿真器，不管过多久一直都识别不了，只有关掉SDK软件，重新导入hdf，才能识别仿真器，不知道你们有没有遇到这样的问题呢？
其次是，zynq不是有两个A9么，我认为这两个A9应该是完全一样的，所以想切换使用，事实上单独使用这两个A9是没问题的，但是在线对这两个A9进行切换适使用是不行的，总是提示当前和in use。这样的情况表示不能忍受了，有不有什么解决方案啊。
废话不多说了，卤煮心碎了。。。下面上过程吧》》》》
首先接着在前一节的工程里面添加DDR3的配置，这过程很简单，直接选好最后一一个型号的DDR3即可。。。
这是配置好后的工程Diagram视图

下面是对memory的测试
在SDK中新建存储器测试工程，由于板子上DDR3是1GB，所以我之对32bits的数据写256个，16bits数据写512个，8bits数据写1024个。。。。
编译之后，进入debug模式（右键->debug as.....），进入调试器界面，给程序在一下三个地方加上断点(在相应的代码前面双击即可)

为方便观察存储器里面的只是怎样变化的，变化时候正确，可以调出Memory（存储器标签）：windows->show view->Memory。选择add memory monitor，输入基地址0x00100000。然后点击Resume选项全速运行到断点，在单步调试，这个不用我多说了吧。。。。。
现在我们去看一下存储器里面的值的变化情况，这里之对32bits数据操作做介绍，其余的是一样的，我写入的32bit的数据是0x11111111。

0x00100000是起始地址，0x1003F0不是结束地址

从上面的截图中我们可以看到写入的数据是正确的，那么写入的数据数目是不是256个呢，下面来简单算一下，存储器的每个存储单元是一个字节，那么0x00100000~0x00100010相当于16个存储单元，显示的每一项是4字节的数据。那么0x00100000~0x001003F0是1008个存储单元，再加上接下来的4个32bits数据占16个存储单元，那么一共是1024个存储单元，即写了1GB的数据，这和板子上的DDR3的容量一致，说明完整的说明DDR3可以使用，因为我在做virtex5的时候，测试DDR2的时候出现过内存泄露的情况，但是那片DDR2还是可以勉强使用，可能是当初电路设计存在问题。。
这是全速运行测试DDR3的结果