` 湖南最近终于也算是过了阴雨期,话说从开学到现在还没见过几个晴天。这几天还算好,阳光不错,学校里的樱花也开了,开得好是灿烂,但是面积不大,只有零零散散的几棵,每次到这樱花盛开的季节,总是有一个想法,就是去湖北武汉参加一下那里的樱花节。
虽然作为男生,但是也对樱花情有独钟。尤其面对那“仙云昨夜坠庭柯,化作翩跹万玉娥”般的樱花雨没有丝毫抵抗力。牵着自己喜欢人的手,漫步在樱花飘落的樱花道,是不是一幅令人陶醉的场景?
然而昨天还看新闻,说武汉大学的樱花节当日接待游客10W人,看樱花的人都在抱怨看得是人头,而不是樱花,这样说来,清明节假期去看樱花的人是不是更了不得了....本来打算清明节去一趟武汉,但是想起当时去杭州西湖的时候,瞬间就没了兴致,所谓西湖无断桥,只见人头啊...
话说小墨在大学这2年多也去了不少地方,读万卷书,不如行万里路嘛,什么北京,上海,杭州啊,桂林,凤凰,南岳啊以及周围的一些城市,长沙,武汉的就不用说了,最近同学又在组织去张家界了,而我更倾向于厦门和黄山,至于张家界,九寨沟等毕业之后再好好去看一下吧,要知道我可是个旅游达人~
旅游当然是要的,但是我们的专业知识也还是要好好学的,今天我们来讲的是SDRAM的架构以及设计,这也是小墨第一次接触架构,也谈不上给大家讲,就是把我理解的当做一个笔记分享给大家,我也试着做了一个SDRAM 的架构word文档,在文章的后面,喜欢的朋友可以下载下来看一下,有什么错误也请积极指正,毕竟我也是没有老师教,也是自己摸索的,难免有些不合理的地方。
一、SDRAM 工作部分
1、上电初始化
我们先来看第一部分,上电初始化。上电初始化我们知道,上电之后我们需要等待200us的稳定期,这段时间我们可以用一个定时器来计数,这没什么问题,然后进入的是预充电部分,这个时候,预充电的时候,sdram_cmd模块会检测此时的初始化状态机的状态,若处于预充电状态,那么sdram_cmd模块向SDRAM发命令,具体命令sdram的datasheet里面有,发的是一个precharge,即预充电,发完命令之后,需要等待一段时间,来确保这个命令被SDRAM捕获,这等待的时间,特权老师用的方式我觉得很好
用一个宏定义,当计数器计数到相应的时间后,预充电完成参数置位 即end_trp 置位,下面的用法也是一样,即当初始化状态机进入预充电状态i_pre时,计数器开启,开始计数,计数完成,也就是预充电结束的时候,计数器复位,这个复位的控制,可以用case语句来检测初始化状态机的状态,在相应的状态给予相应的复位与置位
接下来是8个自刷新,操作和预充电一样
到了模式寄存器的配置阶段,我们需要选定L_bank,以及SDRAM工作模式的配置,当sdram_cmd模块检测到初始化状态机到达模式寄存器配置阶段时,我们的给SDRAM的sdram_bank端口赋相应的值,并且设置地址总线
当初始化结束的时候,标志位init_done置位,告诉工作状态机,初始化状态机已经结束,进入工作状态。下面是我用word做的上电初始化的状态转移图
2、自刷新
初始化结束之后,SDRAM为了防止数据丢失,要进行自刷新,上一篇文章已经讲过了,刷新2^12行需要64ms,也就是每15us刷新一行,也就是我们需要每15us发送一次自刷新请求给SDRAM工作状态机,状态机一旦检测到自刷新请求信号,就告诉sdram工作模块,然后工作模块就向SDRAM发送自刷新命令,即CMD_A_PEF
下面是自刷新的状态转移图
3、读写状态
初始化结束以后,SDRAM就处于工作状态,每15us进行一次自刷新,这个时候,如果想要读或写数据的话,即向工作状态机sdram_work_FSM发送读写请求,如果是读请求,那么工作状态机进入行有效状态,也即激活状态w_ac tive,此时,sdram_cmd模块会发送行有效命令,即CMD_ACTIVEA
同时,我们需要将我们的12位行地址送给我们的sdram地址总线sdram_addr,然后便是一个等待时间段,TRCD,这个时间段里我们是不需要做什么工作的,只需等待TRCD结束
TRCD结束的时候,工作状态机进入读状态,此时,我们需要发送列地址选中我们的存储单元,并告诉sdram_cmd模块发送读命令,这个过程是读命令和列地址同时发送的。我们知道,读命令发出之后,会进入潜伏期TCL。
这个状态我们也不需要做什么,因为我们在模式寄存器配置阶段已经将各种参数配置好了,包括什么潜伏期长,突发读写长度之类的,等到潜伏期结束之后,SDRAM会自动进行读数据,而且读的数据长度会跟我们之前设置的一样长,这个读数据的状态需要时间,即我们的工作状态机工作在w_rd状态,等待8个时钟周期之后,所有的数据都已经被送到数据总线。
这个时候我们需要等一会,因为我们在发送读命令的时候,A10是置1的,也就是说,每次读写完之后要自动进行预充电,从而才可以打开新的工作行,这时,我们的工作状态机即进入了w_rwait状态,等到预充电结束,才完成一次读操作,返回初始状态,等待下一个请求的到来
下面是读写状态转移图,由于写状态只是没有潜伏期,写完之后有一个写回延时,其他地方与读状态相同,我就不再介绍了
二、模拟信号产生部分
我们先来想一下我们的要想测试我们的SDRAM控制器是否正确,都需要什么测试参数吧
1、 首先我们需要发送读写地址对吧,但是我们需要有一个间隔,即每隔一段时间发送一次写地址,为什么呢?因为我们之前在模式寄存器配置的时候,定义了突发读写的长度为8,也就是我们发送一个地址,那么sdram会在连续的8个地址中连续写8次数,我们如果要再发送地址,需要等到这8次地址写完之后再发送下一个地址这个延时大概为640ns,也就是计数器为什么要计到3f的原因,下一个地址的发送就需要比之前的地址大8了,比如第一次我发送的是0地址,那,隔一段时间之后,我就需要发送8地址了。
读地址也一样,当写地址写满了之后,让地址清零,从零地址读起即可
还有再解释一下,特权老师为什么定义22位的模拟地址,22位的模拟地址包括2位的L_BANK的地址,12位行地址和8位列地址。有人会问,为什么是行地址和列地址分开呢,不是行列地址共用吗?注意这里只是模拟地址,到时候我们给地址总线赋值的时候是分开赋值的
2、然后我们需要产生递增数据,每640ns产生8个数即可
3、在发送递增数据之前,我们需要发送写请求信号,这个写请求信号是要发送到我们接下来要讲的FIFO里面,发送写请求之后,数据进入FIFO,注意,这里的写请求是发送给FIFO的,不是发送到SDRAM的,SDRAM的写请求是由FIFO发出去的
有人会问,写请求有了,是不是还该有读请求,要知道,我们的数据是先写到FIFO里面,再有SDRAM对FIFO进行读操作,将写进FIFO的数据再送到SDRAM,而我们从SDRAM中读回的数据,同样要写到FIFO里面,然后我们再从FIFO里面读。是不是有人会问,这不是多此一举吗?其实不然,要知道我们的SDRAM是工作在100M的时钟频率下,而且是有相位偏移的,对我们 FPGA来说是一个异步时钟,如果我们不采用FIFO的形式,那很容易发生亚稳态问题,导致系统不稳定
三、数据缓存部分
1、写FIFO
我来解释一下,写入时钟,也就是我们FPGA的时钟,50MHZ,在这个时钟频率下,我们需要给FIFO发送写请求和递增数据,wrusedw反映了我写入FIFO的占用量,当sdram工作状态机检测到写请求之后(FIFO发出的写请求),会产生一个响应,告诉FIFO要读数据了,这个响应作为FIFO的读信号,在100MHZ的时钟频率下,将我们写入的数据读走,送到SDRAM数据总线上
2、读FIFO
读FIFO跟写FIFO相反,写FIFO时钟为100MHZ,在这个时钟频率下,我们将从SDRAM中读回的数据写到FIFO里面,注意这里我们还用了wrusedw,来反应写FIFO的占用量,也就是我们从SDRAM里读了多少数据,然后在50MHZ的时钟下,将从SDRAM读回的数据采集下来,送到显示模块来验证是否是递增数据,这个显示模块我们用数码管来显示,比较方便,为了观察清楚,我们可以在数码管显示模块,每隔1S种发送一次读FIFO请求,这样在数码管上,会每隔1秒钟显示一个递增的数据了
大体上就是这么多了,整个SDRAM的工作过程就介绍完了,还有些细节没讲到的,大家可以自行消化,有不懂的可以给我留言,或者加我QQ微信,欢迎交流
下一篇文章我们讲时序,真正在板子上让它跑起来才是王道,下面附上我做的一个word,还请各位大神指正~
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kankan ....................
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![](https://staticbbs.elecfans.com/static/image/smiley/default/lol.gif) 谢谢啊 真是太棒了,要学习
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楼主,很厉害!想问你个问题,现在ddr比sdram价格相当,容量大,速度快,sdram好像没多大市场,为什么还研究sdram,而不是ddr
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SDRAM毕竟是基础,会了SDRAM的操作流程DDR就会很容易上手,以后会出关于DDR的教程
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典型的特权结构 ![](https://staticbbs.elecfans.com/static/image/smiley/default/lol.gif) ,参考一下DE2115那板子的源码更有技巧性
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看起来很历害,我还没入门,看不懂
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