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驱动芯片经常说输出电流可以到2A、4A什么的，我知道这个是瞬间电流，那请问对应的芯片电源端的电流要多大呢？也是瞬间到2A、4A吗？那给驱动芯片供电的电源又应该选择多大的呢？还是说加个大电容就解决了？ 
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15个回答
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MOS驱动电流，对应的就是方波边沿驱动过程，对应Qg越高，则同样时间驱动电流要求就越高。
由于只是驱动边沿才会产生对应的电流，而实际就是我们可以计算的驱动功率，而边沿瞬时脉冲电流，完全可以用一个合适的电容并联在驱动芯片供电端来提供该瞬间电流。 |
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那也就是说可以根据需要的电流和Q=CV来算出一个电容的大小，放置一个电容就好了，是吧？而不需要增大整个电源的功率。
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另外，Qg应该是这三个的和吧？按照这个计算，如果是15V的驱动，20K的开关频率，静态功耗也就 20000*15*155*10^(-9)=46.5mW 这样计算15V 1W的电源都绰绰有余了，是吧？ |
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上面给出的，这是一个边沿过程的平均功率，可实际上，边沿都是对称的，一个周期，上下各一次，因此公式里面，还必须2倍，再然后，如果你用的是半桥，则还得再2倍，这才是算出来的实际栅极驱动平均功耗。
顺便说一下，Qg就是Qg，不需要另外几个加起来。 |
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加了大电容基本上电源的平均电流会小很多
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两者之间没有关系，我从来不看瞬态电流，只看工作电流，你的电源和你的驱动瞬间电流取决于你的负载，如果你是电机负载，它既然能在瞬态达到这个电流，那他就能在某些异常条件下达到这个工作电流（如启动与堵转），至于其他不符合这个条件的你都可以用外围电路去泄放的
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1 条评论
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这个问题 本人认同2楼坛友的分析
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一般这电流是由电容瞬间提供，供电不需要这么大电流
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西安长禾半导体技术有限公司、专注半导体检测项目
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大电容会比较平缓
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刚刚也做这个。学习学习
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一起共同学习探讨
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刚刚也做这个。学习学习
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一起共同学习探讨
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